Phase Transformation in the Annealed Si-Rich SiNx Films Studied by Raman Scattering

The Si-rich SiNx films were deposited on Si wafers by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) technique followed by annealing at (800 – 1200) °C. Excess (overstoichiometric) Si content in nitride films was calculated from Rutherford backscattering data (RBS). Existence and evolution of Si nanoclusters from amorphous to crystalline ones under high temperature treatment were confirmed by Raman scattering (RS) measurements. Amorphous Si clusters have already existed in as-deposited SiNx films. Thermal treatment results in the formation of additional amorphous nanoclusters and in their crystallization with anneal temperature increasing. Nitride films annealed at 1200 °C contain crystalline Si clusters only. It was revealed a dependence of Si wafer’s Raman scattering intensity on the temperature of SiNx/Si structures annealing. This information in combination with RBS data has allowed us to estimate and distinguish the excess silicon aggregated in clusters and the excess silicon distributed over the silicon nitride matrix

Unified 1.9…4.0 MeV linear accelerators with interchangeable accelerating structures for customs inspection

A series of compact linear electron accelerators for 1.9, 2.5 and 4.0 MeV equipped with a local radiation shielding has been designed and constructed in the NPK LUTS, the D.V. Efremov Institute (NIIEFA). The accelerators are intended for mobile facilities used for customs inspection of large-scale containers. Results of optimizing calculations of irradiator parameters and electron dynamics, verified under accelerators’ testing, are presented in the report. The main design approaches allowing the construction of unified accelerators with interchangeable accelerating structures for energies in the range of 1.9…4.0 MeV are also given.У НПК ЛУЦ НІІЕФА розроблені і виготовлені кілька моделей компактних лінійних прискорювачів електронів на енергії 1.9, 2.5, і 4.0 МеВ, що призначені для митного огляду великогабаритних контейнерів. Особливістю розробки є уніфікація вузлів прискорювача, що дозволила при використанні взаємозамінних структур, що прискорюють, у тому самому конструктивному виконанні одержувати прискорені електрони з енергією у діапазоні 1.9…4.0 МеВ. Приведено результати оптимізації параметрів опромінення, що підтверджені при іспиті прискорювачів.В НПК ЛУЦ НИИЭФА разработаны и изготовлены несколько моделей компактных линейных ускорителей электронов на энергии 1.9, 2.5, и 4.0 МэВ, которые предназначены для таможенного досмотра крупногабаритных контейнеров. Особенностью разработки является унификация узлов ускорителя, что позволило при использовании взаимозаменяемых ускоряющих структур в одном и том же конструктивном исполнении получать ускоренные электроны с энергий в диапазоне 1.9…4.0 МэВ. Приведены результаты оптимизации параметров облучения, которые подтверждены при испытании ускорителя

Investigation of system for external injection of H⁻ ion beam on cyclotrons

The article presents results of experimental studies carried out at an installation (“SVITS”) simulating a system for external injection of H⁻ions with the beam current of up to 2 mA and energy up to 30 keV for cyclotrons. The beam characteristics (current, current density distribution over cross-section, phase diagrams) as well as gas pressure were measured in three points along the beam axis. The influence of the compensation and de-compensation of the beam space charge on the beam dynamics in the plasma produced under beam transportation was studied.Приводяться результати експериментальних досліджень, виконаних на установці, що моделює систему зовнішньої інжекції Н⁻ зі струмом пучка до 2 мА й енергією до 30 кеВ для циклотрону. Вимір характеристик пучка (струму, розподілу густини струму по перетині, фазових діаграм), а також тиску газу провадиться в трьох точках уздовж осі пучка. Відзначено вплив на динаміку пучка в інжекторі ефекту компенсації власного просторового заряду пучка іонами плазми, що напрацьовується при русі пучка в залишковому газі.Приводятся результаты экспериментальных исследований, выполненных на установке, моделирующей систему внешней инжекции Н⁻ с током пучка до 2 мА и энергией до 30 кэВ для циклотрона. Измерение характеристик пучка (тока, распределения плотности тока по сечению, фазовых диаграмм), а также давления газа производится в трех точках вдоль оси пучка. Отмечено влияние на динамику пучка в инжекторе эффекта компенсации собственного пространственного заряда пучка ионами плазмы, нарабатываемой при движении пучка в остаточном газе

Logical Commutator and a Storage Device Based on Memristor Cells for Electrical Circuits of Neuroprocessor

Представлены топология и электрические схемы ячеек на основе мемристоров, полученных путем интеграции мемристоров, диодов и КМОП платформы. Такие ячейки предлагается использовать в качестве коммутатора логических элементов и в запоминающем устройстве, которые позволяют создать микроконтроллер и нейропроцессор с энергонезависимой памятью, высоким быстродействием и малым энергопотреблением. При этом замена в логических схемах полевых транзисторов на мемристоры существенно уменьшает площадь активных элементов на кристалле микроконтроллера и упрощает цепи программирования.The topology and the circuit diagram of memristor cells obtained by integrating memristor, diodes and CMOS platform are presented. Such cells can be used as a commutator for logic elements and storage devices that allows to create a microcontroller and a neuroprocessor with non-volatile memory, high performance and low power consumption. The substitution in logic field-effect transistors to memristor significantly reduces the area of active elements on the chip of the microcontroller and simplifies circuit programming