524 research outputs found

    Estimated validity and reliability of on-board diagnostics for older vehicles: comparison with remote sensing observations

    Get PDF
    Based on requirements under the Clean Air Act Amendments of 1990, most state vehicle inspection and maintenance (I/M) programs have, since 2002, replaced the tailpipe emission testing with the on-board diagnostic (OBD) II testing for 1996 model and newer vehicles. This test relies on the OBD II system to give the pass or fail result, depending on certain conditions that might cause the vehicle to emit pollution 1.5 times higher than the regulated standard. The OBD II system is a computer and sensors installed in the vehicle to monitor the emission control units and signal if there is any malfunction. As a vehicle ages, its engine, pollution control units, and OBD II system deteriorate. Because the OBD II system's durability directly influences the test outcome, it is important to examine the fleetwide trend in the OBD II test results in comparison with an alternative measure of identifying high emitting vehicles. This study investigates whether the validity and reliability of the OBD II test is related to the age of the OBD II system installed in the fleet. Using Atlanta's I/M testing records and remote sensing device (RSD) data collected during 2002-2005, this research establishes the convergent validity and interobserver reliability criteria for the OBD II test based on on-road emissions measured by RSDs. The study results show that older vehicles exhibit significantly lower RSD-OBD II outcome agreement than newer vehicles. This suggests that the validity and reliability of the OBD II test may decline in the older vehicle fleets. Explanations and possible confounding factors for these findings are discussed

    Influence of Thermal Stabilization for Accuracy Optical Measurements Based on the Phenomenon of Surface Plasmon Resonance

    Get PDF
    Розглянуто механізми впливу температури на результати оптичних вимірювань, які базуються на явищі поверхневого плазмонного резонансу. З’ясовано, що похибка результату вимірювання зумовлена впливом тем-ператури на показник заломлення досліджуваних речовин та елементи оптичної схеми вимірювального облад-нання. Експериментально продемонстровано вплив термостабілізації вимірювального обладнання на відхилен-ня результату оптичних вимірювань. ; We considered the mechanisms of the effect of temperature on the results of optical measurements ba sed on the phenomenon of surface plasmon resonance. It is found that the error of the measurement results due to the influence of temperature on the refractive index of the test substances and the elements of the optical scheme of measuring equipment. Experimental demonstrate the influence of thermal stabilization of the measuring equipment to reject the results of optical measurements

    Улучшение обратных характеристик диода Шоттки с охранным кольцом

    Get PDF
    Діоди Шотткі використовуються в багатьох областях електроніки в якості випрямних та імпульсних діодів. Технологія виготовлення діода Шотткі з охоронним кільцем дає можливість суттєво поліпшити захист переходу метал-напівпровідник від можливого поверхневого пробою. Існуючі способи гетерування структурних дефектів і домішок в кремнії зазвичай не вписуються в той або інший технологічний маршрут виготовлення напівпровідникового приладу і тому є для нього неефективними. У зв'язку із цим доцільна розробка технологічних прийомів гетерування індивідуальна для кожного типу технологічного маршруту виготовлення напівпровідникового приладу з обліком його індивідуальних особливостей. Дана робота присвячена дослідженню конструктивно технологічних особливостей виготовлення діода Шотткі з охоронним кільцем й на основі результатів аналізу проведення оптимізації технології його виготовлення, направленої на підвищення виходу придатних діодів. Розроблена технології дає можливість суттєво збільшити пробивні напруги р-n переходів областей охоронного кільця та значно зменшити рівень зворотних струмів діодів Шотткі.Schottky diodes are used in many fields of electronics as pulse rectifier diodes. Manufacturing Schottky diode with a guard ring allows to significantly improve the protection of the metalsemiconductor transition from a possible flashover. Existing methods of gettering structural defects and impurities in silicon typically do not fit into a particular technological path of manufacturing semiconductor devices and so are ineffective. In this connection it is appropriate to develop technological methods of gettering individual for each type of technological route of manufacturing a semiconductor device, taking into account its specific features. This work is devoted to the study of design and technological features of making Schottky diode with guard ring and on the basis of the analysis of optimizing its manufacturing technology aimed at improving the diodes’ yield. The developed technology makes it possible to significantly increase the breakdown voltage p-n transitions protective ring areas and significantly reduce reverse current Schottky diodes.Диоды Шоттки используются во многих областях электроники в качестве выпрямительных и импульсных диодов. Технология изготовления диода Шоттки с охранным кольцом позволяет существенно улучшить защиту перехода металл полупроводник от возможного поверхностного пробоя. Существующие способы геттерирования структурных дефектов и примесей в кремнии обычно не вписываются в тот или иной технологический маршрут изготовления полупроводникового прибора и поэтому является для него неэффективными. В связи с этим целесообразно разработка технологических приемов геттерирования индивидуальна для каждого типа технологического маршрута изготовления полупроводникового прибора с учетом его индивидуальных особенностей. Данная работа посвящена исследованию конструктивно-технологических особенностей изготовления диода Шоттки с охранным кольцом и на основе результатов анализа проведения оптимизации технологии его изготовления, направленной на повышение выхода годных диодов. Разработаная технологии позволяет существенно увеличить пробивные напряжения р-n переходов областей охранного кольца и значительно уменьшить уровень обратных токов диодов Шоттки

    Search for the exotic Θ+\Theta^+ resonance in the NOMAD experiment

    Get PDF
    A search for exotic Theta baryon via Theta -> proton +Ks decay mode in the NOMAD muon neutrino DIS data is reported. The special background generation procedure was developed. The proton identification criteria are tuned to maximize the sensitivity to the Theta signal as a function of xF which allows to study the Theta production mechanism. We do not observe any evidence for the Theta state in the NOMAD data. We provide an upper limit on Theta production rate at 90% CL as 2.13 per 1000 of neutrino interactions.Comment: Accepted to European Physics Journal

    Production properties of K*(892) vector mesons and their spin alignment as measured in the NOMAD experiment

    Get PDF
    First measurements of K*(892) mesons production properties and their spin alignment in nu_mu charged current (CC) and neutral current (NC) interactions are presented. The analysis of the full data sample of the NOMAD experiment is performed in different kinematic regions. For K*+ and K*- mesons produced in nu_mu CC interactions and decaying into K0 pi+/- we have found the following yields per event: (2.6 +/- 0.2 (stat.) +/- 0.2 (syst.))% and (1.6 +/- 0.1 (stat.) +/- 0.1 (syst.))% respectively, while for the K*+ and K*- mesons produced in nu NC interactions the corresponding yields per event are: (2.5 +/- 0.3 (stat.) +/- 0.3 (syst.))% and (1.0 +/- 0.3 (stat.) +/- 0.2 (syst.))%. The results obtained for the rho00 parameter, 0.40 +/- 0.06 (stat) +/- 0.03 (syst) and 0.28 +/- 0.07 (stat) +/- 0.03 (syst) for K*+ and K*- produced in nu_mu CC interactions, are compared to theoretical predictions tuned on LEP measurements in e+e- annihilation at the Z0 pole. For K*+ mesons produced in nu NC interactions the measured rho00 parameter is 0.66 +/- 0.10 (stat) +/- 0.05 (syst).Comment: 20 p

    СОСТОЯНИЕ СТЕНКИ АБДОМИНАЛЬНОГО ОТДЕЛА ПИЩЕВОДА ПРИ ЕГО ОПУХОЛЕВОМ ПОРАЖЕНИИ

    Get PDF
    In the article features morphological changes in the wall of the abdominal part of esophagus are described at two forms of its tumoral leasions: the squamous cell carcinoma and adenocarcinoma.В статье описаны особенности морфологических изменений в стенке абдоминального отдела пищевода при двух формах его опухолевого поражения: плоско- клеточном раке и аденокарциноме.
    corecore