U.V. photoemission from sulphur saturated (100) and (110) nickel surfaces

Directional U.V. photoemission spectra obtained on clean and sulphur saturated (100) and (110) nickel surfaces are presented for excitation energies lying in the range 10.2 to 21.2 eV. The results are shown to be complementary to the I.N.S. observations of Becker and Hagstrum and give an experimental support to the induced surface states predicted by Kasowski.Les spectres de photoémission U.V. directionnelle obtenus sur les faces (100) et (110) du nickel, pures et saturées de soufre adsorbé, sont présentées. La gamme d'énergies d'excitation utilisée s'étend de 10,2 à 21,2 eV. Il est montré que les résultats obtenus sont complémentaires de ceux observés par Becker et Hagstrum par la technique I.N.S. et qu'ils sont en bon accord avec les prévisions théoriques de Kasowski

Electronic structures of clean and sulphur saturated Pt (100) surfaces

Angle-resolved uv photoemission experiments have been performed on clean and S saturated Pt (100) surface, in the photon energy range 10.2-40.8 eV. Empirical energy bands along the ΓX direction of the Brillouin zone are in good agreement with the calculated scheme for Pt given recently by McDonald et al. Adsorption spectra show two extra electronic structures, similar to those generally observed with chalcogen chemisorption on transition metals.Les mesures de photoémission uv angulaire ont été effectuées sur une surface de Pt (100) propre puis saturée de S adsorbé, avec des énergies d'excitation comprises entre 10,2 et 40,8 eV. Pour la surface propre, les résultats expérimentaux sont en bon accord avec la structure de bande du Pt calculée récemment par McDonald et al. L'adsorption de S introduit deux structures électroniques supplémentaires assez similaires à celles généralement observées dans la chimisorption des chalcogènes sur métaux de transition

ELECTRON SPECTROSCOPY STUDY OF Mo/Si(111) INTERFACES

L'évolution des caractéristiques électroniques de l'interface formée pendant l'évaporation séquentielle de fractions de monocouches de Mo sur une surface de Si(ll1) propre a été suivie par spectroscopie de photoélectrons X (XPS) et d'électrons Auger sous rayons X (XAES). L'énergie de liaison du Mo 3d5/2 subit un déplacement négatif de 0,4 eV dans la région de la sousmonocouche et augmente ensuite rapidement pour atteindre la valeur du massif vers les 6 monocouches, tandis que le Si 2p demeure à la même position et que l'énergie cinétique de la raie Si KLL n'accuse qu'une légère augmentation. Les transitions Auger Si LVV indiquent une perturbation des états 3p en présence du métal. Des couches stables et homogènes de MoSi2 se forment quand des dépôts de ~ 15 monocouches sont recuits aux températures T > 500°C. Par rapport au cas mieux étudié du Ni/Si, les transferts de charge dans les atomes métalliques sont plus faibles et de sens opposé, et l'interface serait beaucoup plus abrupte.XPS and X-ray excited AES (XAES) have been used to follow the evolution of the electronic structure of the interface formed when submonolayer amounts of Mo atoms are evaporated onto clean Si(111) surface. The Mo 3d5/2 level undergoes a chemical shift of - 0.4 eV, towards lower binding energy, for surface coverage θ ≤ 1 monolayer (ML) and resumes its bulk value for θ ≤ 6 ML, while the Si 2p peak remains at the same position and the Si KLL feature increases weakly in kinetic energy. Si LVV Auger transitions indicate perturbations of the Si 3p states by the presence of Mo atoms. Annealings of thin deposits (~ 15 ML) at T > 500°C lead to the formation of stable and homogeneous MoSi2 layers. In comparison with the more investigated case of Ni/Si interfaces, the main differences are a weaker chemical shift of the Mo corelevels, an opposite charge transfer in the metal atoms and indication of a much more abrupt interface

UV photoemission from Pt (111) and Pt(S) [6(111) × (100)] surfaces

Directional UV photoemission spectra have been obtained from a Pt (111) surface and its vicinal [6(111) x (100)], in the excitation energy range 10.2 to 26.8 eV. The results from the plane surface are discussed in terms of a calculated band structure, and experimental energy dispersions for the initial bands along the ΓL direction are constructed. The presence of steps produces a broadening of the spectral features and an increase of emission near the Fermi level.Les faces (111) et [6(111) x (100)] du Pt sont étudiées par photoémission UV directionnelle dans la gamme d'énergie d'excitation 10,2-26,8 eV. Les spectres de photoélectrons émis normalement à la face simple sont discutés en fonction du schéma de bandes calculé ; les courbes de dispersion des états initiaux suivant la direction ΓL sont déterminées expérimentalement. Avec la face vicinale on observe un élargissement des structures électroniques et une augmentation de l'émission près du niveau de Fermi

Angular resolved U.V. photoemission from (100) nickel surface

Initial results obtained on a (100) paramagnetic nickel surface by angular-resolved U.V. photoemission are presented. The spectra measured for different electron emission angles are discussed in terms of the calculated band structures and are compared with similar results previously obtained on polycrystalline samples.On présente des résultats préliminaires de l'étude de la face (100) du nickel paramagnétique par photoémission en U.V. lointain. Les spectres obtenus sur la surface pure par un système de mesure angulairement résolu sont discutés en fonction de la structure de bande calculée et des résultats parallèles obtenus sur le nickel polycristallin

Photoemission from (100) molybdenum surfaces

Initial results obtained for (100) molybdenum surfaces by u.v. photoemission spectroscopy are presented. The spectra obtained for both clean and contaminated surfaces are discussed in terms of the calculated density of states, and are compared with similar results for tungsten (100).Les premiers résultats de l'étude de la face (100) du molybdène par photoémission en u.v. lointain sont présentés. Les spectres obtenus sur la surface propre et contaminée sont discutés en fonction de la densité d'états calculée et des résultats expérimentaux parallèles obtenus sur le tungstène (100)