Whole Genome Sequencing and Complete Genetic Analysis Reveals Novel Pathways to Glycopeptide Resistance in Staphylococcus aureus

The precise mechanisms leading to the emergence of low-level glycopeptide resistance in Staphylococcus aureus are poorly understood. In this study, we used whole genome deep sequencing to detect differences between two isogenic strains: a parental strain and a stable derivative selected stepwise for survival on 4 µg/ml teicoplanin, but which grows at higher drug concentrations (MIC 8 µg/ml). We uncovered only three single nucleotide changes in the selected strain. Nonsense mutations occurred in stp1, encoding a serine/threonine phosphatase, and in yjbH, encoding a post-transcriptional negative regulator of the redox/thiol stress sensor and global transcriptional regulator, Spx. A missense mutation (G45R) occurred in the histidine kinase sensor of cell wall stress, VraS. Using genetic methods, all single, pairwise combinations, and a fully reconstructed triple mutant were evaluated for their contribution to low-level glycopeptide resistance. We found a synergistic cooperation between dual phospho-signalling systems and a subtle contribution from YjbH, suggesting the activation of oxidative stress defences via Spx. To our knowledge, this is the first genetic demonstration of multiple sensor and stress pathways contributing simultaneously to glycopeptide resistance development. The multifactorial nature of glycopeptide resistance in this strain suggests a complex reprogramming of cell physiology to survive in the face of drug challenge

An active microwave transmission delay equalizer

A new group delay equalizer, operating at microwave frequencies, is presented here. It consists in an active transmission path which includes three amplifier stages. The middle stage has an all-pass transfer function when a feedback branch is placed between input and output. The feedback branch is an external stop-band cavity which produces the desirable amount of group delay. The amplifier stages are carried out by using GaAs MMIC technology, while the external cavity consists in a dielectric resonator coupled to a microstrip line. A 285 ns group delay is measured

Etude et réalisation de deux structures d’onduleurs Hautes Fréquences (HF) et Très Hautes Fréquences (VHF) à transistor GaN

National audienc

Control parameters inversion using genetic algorithms applied to numerical impedance synthesis for woodwinds

info:eu-repo/semantics/publishe

Etude de deux structures d'onduleurs Hautes Fréquences (HF) et Très Hautes Fréquences (THF) à transistor GaN

International audienceL’appareillage électronique tend de plus en plus à la miniaturisation. L’alimentation électrique de ces appareils électroniques doit donc suivre cette même tendance. Une façon de rendre les alimentations électriques à découpage plus petites, est d’en augmenter la fréquence de fonctionnement. L’augmentation de la fréquence de découpage jusqu’à des dizaines de Mégahertz, permet également de réaliser des inductances sans fer voire de réduire la masse du convertisseur en imprimant les inductances sur le circuit imprimé (PCB). Cependant, lorsque ces alimentations à découpage opèrent à plus de 10MHz, les structures utilisées communément, mêmes les structures résonnantes, ne sont plus adaptées. L’objectif de cet article est de présenter et de comparer deux structures d’onduleurs à résonnance adaptées à des fonctionnements à hautes fréquences (HF : 3MHz-30MHz) et très hautes fréquences (VHF : 30MHz-300MHz) pouvant prendre part dans un premier étage de convertisseur DC-DC isolé alimentant un appareil électronique; les onduleurs classe E et classe ᶲ2. Cet article fait le parallèle entre l’onduleur classe E et l’onduleur classe ᶲ2. Il montre également l’évolution de la taille des éléments magnétiques avec l’augmentation de la fréquence de découpage et les défis de la réalisation expérimentale de convertisseurs fonctionnant à 13,56MHz et à 40,68MHz(Bandes de fréquences industrielles, scientifiques et médicales)

A Comprehensive Sensitivity Evaluation of a GaN Based Class (phi)2 Inverter at Very High Frequency (VHF)

International audienc

Etude de deux structures d'onduleurs Hautes Fréquences (HF) et Très Hautes Fréquences (THF) à transistor GaN

International audienceL’appareillage électronique tend de plus en plus à la miniaturisation. L’alimentation électrique de ces appareils électroniques doit donc suivre cette même tendance. Une façon de rendre les alimentations électriques à découpage plus petites, est d’en augmenter la fréquence de fonctionnement. L’augmentation de la fréquence de découpage jusqu’à des dizaines de Mégahertz, permet également de réaliser des inductances sans fer voire de réduire la masse du convertisseur en imprimant les inductances sur le circuit imprimé (PCB). Cependant, lorsque ces alimentations à découpage opèrent à plus de 10MHz, les structures utilisées communément, mêmes les structures résonnantes, ne sont plus adaptées. L’objectif de cet article est de présenter et de comparer deux structures d’onduleurs à résonnance adaptées à des fonctionnements à hautes fréquences (HF : 3MHz-30MHz) et très hautes fréquences (VHF : 30MHz-300MHz) pouvant prendre part dans un premier étage de convertisseur DC-DC isolé alimentant un appareil électronique; les onduleurs classe E et classe ᶲ2. Cet article fait le parallèle entre l’onduleur classe E et l’onduleur classe ᶲ2. Il montre également l’évolution de la taille des éléments magnétiques avec l’augmentation de la fréquence de découpage et les défis de la réalisation expérimentale de convertisseurs fonctionnant à 13,56MHz et à 40,68MHz(Bandes de fréquences industrielles, scientifiques et médicales)

A Very High Frequency Self-Oscillating Inverter Based on a Novel Free-Running Oscillator

WOS:000471702300005International audienceThis letter introduces a self-oscillating very highfrequency (VHF) class φ 2 inverter based on a free-running oscillator. The class φ 2 is a low-voltage semiconductor stress, fast-transient, single-transistor inverter topology suitable for VHF applications. With new advancements in GaN technology, the tendency to increase the switching frequency in power converters is on the rise. Switching at VHF (VHF: 30-300 MHz) allows for smaller passive components and more compact power converters. However, although GaN components are able to switch at 100 MHz and beyond, gate drivers available in the market struggle to provide the adequate switching signal at VHF. Hence, there is a need for an alternative to VHF converters using those gate drivers-self-oscillating topologies. To that end, a self-oscillating class φ 2 inverter switching at 30 MHz is presented and a design methodology is provided. A 30 MHz prototype with 30 V input voltage using a GaN Systems GS61004B is also built and tested, showing good matching between the simulation and experimental results