Estudio de la capacidad de transporte de sistemas de cables aislados de alta tensión

Durante el desarrollo del presente proyecto se han llevado a cabo las siguientes actuaciones: Se ha descrito la metodología utilizada en el proyecto para calcular la capacidad de transporte de las instalaciones eléctricas subterráneas de alta tensión, observando las mejoras que presenta con respecto a la metodología empleada habitualmente (basada en las Normas UNE). El empleo de modelos continuos de conducción supone un cálculo más exacto de la capacidad de transporte nominal de las líneas eléctricas subterránea. Con la ayuda de una herramienta informática, se ha realizado un estudio completo de la capacidad de transporte de una línea eléctrica subterránea genérica de alta tensión, definiendo todos los aspectos que intervienen en la misma y obteniendo los parámetros eléctricos que definen a la línea, la representación gráfica de las tensiones inducidas en las pantallas a lo largo de toda la línea y el perfil térmico del punto más caliente de la instalación. Se ha estudiado la influencia que tienen otras instalaciones eléctricas en la capacidad de transporte nominal de una línea eléctrica subterránea de alta tensión, caracterizando la variación de la capacidad de transporte en función del tipo de instalación (de alta o de media tensión), del número de ternas que componen dicha instalación, del grado de carga de esas ternas y de la distancia existente entre la línea eléctrica y la otra instalación. Para ello se ha obtenido en cada caso, la reducción de la capacidad de transporte y las distancias a partir de las cuales la influencia de las otras líneas deja de ser significativa o en las que se puede considerar que la línea no sufre influencia térmica. Se ha llevado a cabo el estudio de la capacidad de transporte de las líneas subterráneas que componen la red de 220kV de Madrid perteneciente a Unión Fenosa Distribución. Para ello se ha simulando la situación real de las líneas en sus puntos críticos, considerando la influencia térmica de otras canalizaciones y analizando la evolución de la capacidad de transporte en función de la distancia existente entre canalizaciones. Como resultado de este estudio se puede afirmar que todas las líneas de la red subterránea de 220kV sufren una influencia térmica significativa de otras canalizaciones en algún punto de su trazado si se considera la situación más desfavorable, es decir, cuando todas las líneas implicadas funcionan con un grado de carga del 100% y la distancia entre las mismas es mínima. Se han comparado los resultados obtenidos en el proyecto con los datos con los que las líneas están siendo explotadas actualmente y con los valores que se obtienen si se aplica la metodología empleada habitualmente para el cálculo de líneas subterráneas de alta tensión, observando que tradicionalmente se emplea una definición de la capacidad de transporte del caso más desfavorable, lo que supone despreciar el efecto de las características del tendido y de la puesta a tierra en cada instalación concreta. En muchos casos esto supone una infrautilización de las líneas, y en otros llevarlas inadvertidamente a la sobrecarga, con el consiguiente envejecimiento y merma de la vida útil de la instalación.Ingeniería Industria

(Invited) Band Line-up of High-k Oxides on GaN

We present comprehensive experimental work on TixAl1-xOy (with x = 9%, 16%, 25%, 36%, 100%) and GaxAl1-xOy (x = 5%, 20%, 80% and 95%) fabricated using atomic layer deposition with the aim of achieving favorable band alignment with GaN for device applications. The permittivity, k, has been found to be enhanced from ~10 for 9% Ti to 76 for TiO2, but brings unfavorable band line-up and a small conduction band offset (&lt; 0.1 eV) with GaN for all Ti% studied. On the other hand, GaxAl1-xOy (x = 5%, 20%) films show substantial increase of the band gap from 4.5 eV for Ga2O3 to 5.5 eV for x = 5% Ga and 6.0 eV for x = 20% Ga in mixed oxides and a strong suppression of leakage current in associated metal insulator semiconductor (MIS) capacitors.</jats:p

Band line-up investigation of atomic layer deposited TiAlO and GaAlO on GaN

A comprehensive study of the band alignments of TixAl1−xOy (with x = 9%, 16%, 25%, 36%, 100%) and GaxAl1−xOy (x = 5%, 20%, 80% and 95%) fabricated using atomic layer deposition on GaN has been presented using X-ray photoelectron spectroscopy and variable angle spectroscopic ellipsometry. The permittivity, k, has been found to be enhanced from ~10 for 9% Ti in TixAl1−xOy to 76 for TiO2, however TiO2 brings an unfavorable band alignment and a small conduction band offset (&lt;0.1 eV) with GaN. The latter has been observed for all studied TixAl1−xOy films deposited on GaN. On the other hand, GaxAl1−xOy films show a substantial increase of the band gap from 4.5 eV for Ga2O3 to 5.5 eV for x = 20% Ga and 6.0 eV for x = 5% Ga. A strong suppression of leakage current in associated GaxAl1−xOy-based metal insulator semiconductor capacitors has also been observed, showing promise for device applications