Spindle Assembly Checkpoint Protein Dynamics Reveal Conserved and Unsuspected Roles in Plant Cell Division

Background: In eukaryotes, the spindle assembly checkpoint (SAC) ensures that chromosomes undergoing mitosis do not segregate until they are properly attached to the microtubules of the spindle. Methodology/Principal Findings: We investigated the mechanism underlying this surveillance mechanism in plants, by characterising the orthogolous SAC proteins BUBR1, BUB3 and MAD2 from Arabidopsis. We showed that the cell cycle-regulated BUBR1, BUB3.1 and MAD2 proteins interacted physically with each other. Furthermore, BUBR1 and MAD2 interacted specifically at chromocenters. Following SAC activation by global defects in spindle assembly, these three interacting partners localised to unattached kinetochores. In addition, in cases of 'wait anaphase', plant SAC proteins were associated with both kinetochores and kinetochore microtubules. Unexpectedly, BUB3.1 was also found in the phragmoplast midline during the final step of cell division in plants. Conclusions/Significance: We conclude that plant BUBR1, BUB3.1 and MAD2 proteins may have the SAC protein functions conserved from yeast to humans. The association of BUB3.1 with both unattached kinetochore and phragmoplast suggests that in plant, BUB3.1 may have other roles beyond the spindle assembly checkpoint itself. Finally, this study of the SAC dynamics pinpoints uncharacterised roles of this surveillance mechanism in plant cell division

Inhibition of IL-10 Production by Maternal Antibodies against Group B Streptococcus GAPDH Confers Immunity to Offspring by Favoring Neutrophil Recruitment

Group B Streptococcus (GBS) is the leading cause of neonatal pneumonia, septicemia, and meningitis. We have previously shown that in adult mice GBS glycolytic enzyme glyceraldehyde-3-phosphate dehydrogenase (GAPDH) is an extracellular virulence factor that induces production of the immunosuppressive cytokine interleukin-10 (IL-10) by the host early upon bacterial infection. Here, we investigate whether immunity to neonatal GBS infection could be achieved through maternal vaccination against bacterial GAPDH. Female BALB/c mice were immunized with rGAPDH and the progeny was infected with a lethal inoculum of GBS strains. Neonatal mice born from mothers immunized with rGAPDH were protected against infection with GBS strains, including the ST-17 highly virulent clone. A similar protective effect was observed in newborns passively immunized with anti-rGAPDH IgG antibodies, or F(ab')2 fragments, indicating that protection achieved with rGAPDH vaccination is independent of opsonophagocytic killing of bacteria. Protection against lethal GBS infection through rGAPDH maternal vaccination was due to neutralization of IL-10 production soon after infection. Consequently, IL-10 deficient (IL-10−/−) mice pups were as resistant to GBS infection as pups born from vaccinated mothers. We observed that protection was correlated with increased neutrophil trafficking to infected organs. Thus, anti-rGAPDH or anti-IL-10R treatment of mice pups before GBS infection resulted in increased neutrophil numbers and lower bacterial load in infected organs, as compared to newborn mice treated with the respective control antibodies. We showed that mothers immunized with rGAPDH produce neutralizing antibodies that are sufficient to decrease IL-10 production and induce neutrophil recruitment into infected tissues in newborn mice. These results uncover a novel mechanism for GBS virulence in a neonatal host that could be neutralized by vaccination or immunotherapy. As GBS GAPDH is a structurally conserved enzyme that is metabolically essential for bacterial growth in media containing glucose as the sole carbon source (i.e., the blood), this protein constitutes a powerful candidate for the development of a human vaccine against this pathogen

Préparation et propriétés des jonctions p-n d’antimoniure d’indium

On présente une étude des propriétés électriques et photoélectriques des jonctions d’antimoniure d’indium de grande surface. Les jonctions sont préparées par exodiffusion : chauffage sous vide d’échantillons monocristallins de type n.L’étude des propriétés électriques est effectuée à partir des caractéristiques courant-tension, mesurées à la température de 77 °K. Aux faibles polarisations, le courant inverse se compose de deux termes : un courant de fuite déterminé par l’état de surface, et le courant interne de la jonction qui est prédominant au-dessus de 140 °K, et provient d’une génération de paires électron-trou dans la zone chargée à partir de niveaux-pièges. La loi de variation du courant direct interne diffère de celle du redresseur idéal : cette anomalie résulte de la recombinaison des porteurs injectés dans la zone chargée, sur les pièges déterminés précédemment. Aux fortes polarisations inverses, l’action des champs électriques intenses détermine deux comportements distincts : dans les diodes dites de la première classe au profil de jonction linéaire, le claquage survient par avalanche ; les diodes de la seconde classe possèdent un profil de jonction abrupt et manifestent un effet tunnel ; le claquage fait apparaître dans la caractéristique une branche à pente négative dénotant la formation d’un microplasma. L’apparition de l’effet tunnel est reliée à la présence de dislocations dont la création, variable avec le type des surfaces, serait influencée par la polarité cristallographique du composé.L’étude des propriétés photoélectriques des jonctions comprend une analyse théorique et expérimentale des courbes de réponse spectrale, qui aboutit à la détermination de divers paramètres : profondeur de jonction, vitesse de recombinaison superficielle, longueur de diffusion et seuil d’ionisation des électrons. Puis la réalisation de deux types de détecteurs d’infra-rouge utilisant ces jonctions est décrite : un de ceux-ci présente la particularité de fournir une indication de la position de la source lumineuse dans l’espace.Une étude expérimentale de l’état de surface révèle enfin l’influence des agents atmosphériques sur les propriétés des jonctions et permet de préciser le mécanisme d’amorçage des microplasmas : le rôle joué par certains états superficiels d’énergie est mis en évidence

Models of donor impurity compensation in cadmium telluride

A review is presented of the various models proposed to explain electric compensation of donors in CdTe. These models differ by the strength of interaction between impurities and cadmium vacancies : non interacting donor ions and charged defects ; formation of complexes by association of defects and impurities ; chemical compensation between donors and native defects. These analysis postulate the presence of a large number of ionized free vacancies. Results of high temperature measurements are discussed which set certain limits to the concentration of ionized vacancies under specified conditions. Starting from these values it appears difficult to account for compensation of donor impurities in the range 1017 cm-3. A tentative model is then presented which assumes the existence of neutral cadmium vacancies in a large concentration and describes the compensation process by a donor-neutral vacancy interaction, such complexes being stabilized by electron trapping. From this point of view, the electronic perfection of presently grown CdTe is limited by the residual impurities content.On présente une revue des divers modèles proposés pour expliquer la compensation électrique des donneurs dans CdTe. Ces modèles diffèrent par la force des interactions entre impuretés et lacunes de cadmium : aucune interaction entre donneurs et défauts chargés ; formation de complexes par association entre défauts et impuretés ; compensation chimique entre donneurs et défauts natifs. Ces analyses supposent une concentration élevée en lacunes ionisées. Les résultats de mesures à haute température sont discutés qui fixent certaines limites à la concentration en lacunes ionisées, sous des conditions d'équilibre spécifiées. A partir de ces valeurs, il apparait difficile de rendre compte de la compensation de donneurs dans le domaine de 1017 cm-3. Une hypothèse est avancée selon laquelle des lacunes neutres en concentration élevée sont présentes. Le processus de compensation est décrit comme une interaction donneur-lacune neutre, ces complexes étant stabilisés par piégeage d'électrons. Selon ce point de vue, la perfection électronique des cristaux de CdTe actuels est limitée par la teneur en impuretés résiduelles

Énergie photovoltaïque : matériaux utilisés et perspectives

Les matériaux pour la conversion photovoltaïque sont des semi-conducteurs dont la largeur de bande interdite peut se situer dans l'intervalle 1 - 1,8 eV. Les principes physiques de l'effet photovoltaïque sont d'abord rappelés afin de mettre en évidence les relations nécessaires entre les caractéristiques optiques et électroniques du semi-conducteur et l'épaisseur de la structure de conversion ou cellule. Les matériaux actuellement utilisés ou étudiés sont ensuite passés en revue en commençant par le silicium cristallin massif puis en décrivant le vaste secteur des couches minces : silicium amorphe, composés polycristallins, silicium cristallisé en film mince. Les développements attendus dans chacune de ces filières sont présentés ainsi que les recherches en cours sur d'autres types de matériaux et de structures

Mécanisme de génération-recombinaison dans les jonctions p-n de tellurure de cadmium

A generation-recombination mechanism takes place in the space-charge region of CdTe p-n junctions. Measurements of electrical characteristics at different temperatures show that this phenomenon is due to the presence of a doubly-ionizable defect : the cadmium vacancy.Des jonctions p-n de CdTe sont le siège d'un mécanisme de génération-recombinaison dans la zone de charge d'espace. Des mesures de caractéristiques électriques à différentes températures ont montré que ce phénomène est dû à la présence d'un défaut doublement ionisable : la lacune de cadmium

ANALYSIS OF THE RECOMBINATION VELOCITY AND OF THE EBIC AND CATHODOLUMINESCENCE CONTRAST AT A DISLOCATION

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