Caractérisation électrique de films amorphes de As50Te 50 irradiés par des ions lourds

Des films amorphes de composition As50Te50 sont irradiés avec des ions azote et néon d'énergie comprise entre 0,5 et 2 MeV. L'évolution de leur résistance électrique est suivie pendant et après l'irradiation. La diminution de résistivité est corrélée à l'état initial de la couche ; en particulier, le recuit initial-prérecuit module l'amplitude de cette décroissance. L'accroissement de conductivité est attribué à une augmentation du nombre des défauts structuraux, lesquels provoquent une modification de la densité des états localisés dans la bande interdite

I.B.S. coatings on large substrates: Towards an improvement of the mechanical and optical performances

présenté par A. RemillieuxLarge mirrors (350 mm), having extremely low optical loss (absorption, scattering, wavefront) were coated for the VIRGO interferometer. The new mirror generation needs better wavefront and lower mechanical loss. The first results are discussed

Original optical metrologies of large components

présentée par A. RemillieuxThe coating deposition on large optical components (diameter 350 mm) has required the development of new metrology tools at 1064 nm. To give realistic values of the optical performances, the whole surface of the component needs to be scanned. Our scatterometer (commercial system) has been upgraded to support large and heavy samples. The other metrology tools are prototypes we have developed. We can mention the absorption (photothermal effect) and birefringence bench, a control interferometer equipped with an original stitching option, the optical profilometer (RMS roughness and small defect measurements). A detailed description of these metrology benches will be exposed. Their sensitivity, accuracy and capability to map the optical properties of substrates or mirrors will be discussed. We will describe the recent developments: the stitching option adapted to the Micromap profilometer to measure the RMS roughness on larger area (exploration of a new spatial frequency domain), the accurate bulk absorption calibration

The Virgo data acquisition system

International audienc

The gravitational wave detector VIRGO

International audienc

Search for non-Gaussian events in the data of the VIRGO E4 engineering run

International audienc

Avant-propos

Pas de Résumé disponibl

Avant-propos

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Problèmes liés au développement des commutateurs à semiconducteur amorphe

We review the main difficulties that we encountered in the manufacturing of switching components based on amorphous thin film chalcogenide semiconductor. We discuss the technological, thermical and electrical aspects of the problems, particularly electrodes diffusion and electromigration ; some of our results illustrate the discussion. This brings us to the conclusion that it is possible to obtain satisfactory devices in the near future, both for amorphous semiconductor test vehicles, and for reliable electronic components.Nous passons en revue l'ensemble des problèmes qui nous sont apparus lors de la réalisation de composants de commutation utilisant une couche mince de semiconducteur amorphe du type chalcogénure. Aspects technologiques et comportement thermique ou électrique, notamment diffusion et électromigration des électrodes, sont illustrés par quelques-uns de nos résultats, puis analysés afin d'aboutir à un ensemble de conclusions permettant d'espérer l'apparition de dispositifs satisfaisants, susceptible d'être à la fois le support d'expériences précises sur les semiconducteurs amorphes et un composant fiable pour l'électronique

Problèmes liés au développement des commutateurs à semiconducteur amorphe

Nous passons en revue l'ensemble des problèmes qui nous sont apparus lors de la réalisation de composants de commutation utilisant une couche mince de semiconducteur amorphe du type chalcogénure. Aspects technologiques et comportement thermique ou électrique, notamment diffusion et électromigration des électrodes, sont illustrés par quelques-uns de nos résultats, puis analysés afin d'aboutir à un ensemble de conclusions permettant d'espérer l'apparition de dispositifs satisfaisants, susceptible d'être à la fois le support d'expériences précises sur les semiconducteurs amorphes et un composant fiable pour l'électronique