Mesure des vies moyennes de niveaux excités de l'ytterbium 170, du hafnium 177 et du lutécium 175

Some half lives of excited states had been measured by means of the time-analyzer technique in the range of 10-10 second. We obtained the following values : 170Yb: 84 keV state : T1/2 = 1,56 + 0.05 × 10—9 s. 177Hf : 113 keV state : T1/2 = 5,0 ± 0.5 × 10—10 s. 177 Hf : 321 keV state : T1/2 = 6,5 ± 0.6 × 10—10 s. 175Lu: 113 keV state : T1/2 = 9, 9 ± 0.9 × 10—11s.Nous avons mesuré les périodes de niveaux excités de quelques corps en utilisant la technique de la conversion temps-amplitude. Nous avons obtenu les valeurs suivantes : 170Yb: Niveau à 84 keV : T1/2 = 1,56 ± 0,05 × 10-9 s. 177Hf : Niveau à 113 keV : T1l2 = 5,0 ± 0,5 × 10-10 s. 177Hf : Niveau à 321 keV : T1/2 = 6,5 ± 0,6 × 10-10 s. 175Lu : Niveau à 113 keV : T 1/2 9,9 ± 0,9 × 10—11 s

Mesure des vies moyennes de niveaux excités de l'osmium 186, du thallium 203, du tungstène 182 et du plomb 207

Some half-lives of excited states have been measured by mean of the time analysing technique in the range of 10-10 second. We obtained the following values : Os 186, 137 keV state : T1/2 = 8.45 ± 0.2 × 10-10 s ; T1 203, 279 keV state : T1/2 = 2.83 ± 0.07 × 10-10 s ; W 182, 1 290 keV state : T1/2 = 1.04 ± 0.03 × 10-9 s ; W 182, 100 keV state : T1/2 = 1.47 ± 0.09 × 10 -9 s ; Pb 207, 570 keV state : T1/2 = 1.34 ± 0.09 × 10-10 s.Nous avons mesuré les périodes de niveaux excités de quelques corps en utilisant la technique de la conversion temps-amplitude dans le domaine des 10-10 s. Nous avons obtenu les valeurs suivantes : Os 186 niveau à 137 keV : T1/2 = 8,45 ± 0,2 X 10-10 s ; 203TI, niveau à 279 keV : T 1/2 = 2,83 ± 0,07 × 10-10 s ; 182W, niveau à 1 290 keV et 100 keV respectivement : T 1/2 = 1,04 ± 0,03 × 10-9 s et T1/2 = 1,47 ± 0,09 × 10-9 s et niveau à 570 keV du 207Pb : T1/2 = 1,34 ± 0,09 × 10-10s

Étude des effets directionnels dans la transmission de protons de 2 MeV à travers un monocristal de silicium

This paper describes experimental work on channeling of 2 MeV protons through a silicon crystal, oriented (111). Axial channeling along [110], [111], [112] and [114] axes and planar channeling along (110) and (111) planes have been studied. The expérimental anomalous transmission of the [110] axis has been calculated. Results are in good agreement with Lindhard's theory. Experimental results on the high-energy-loss component are given. The so-called "star patterns" have also been observed by a photographic method.Ce travail décrit les phénomènes de canalisation subis par des protons de 2 MeV à travers un monocristal de silicium, orienté (111). La canalisation axiale à travers les canaux [110], [111], [112] et [114] et la canalisation plane dans les plans (110) et (111) ont été étudiées expérimentalement. Nous avons calculé la surintensité mesurée le long du canal [110]. Les résultats sont en bon accord avec la théorie de Lindhard. Nous donnons des résultats expérimentaux relatifs à la composante à forte perte d'énergie. Enfin, une méthode photographique a permis d'observer la structure étoilée des faisceaux canalisés

Mesure de la durée de vie du premier état excité de 19F et de 25Mg

The mean lives of the first excited state of F19 and Mg 25 have mean measured by means of a pulsed beam technique. The values obtained are : 110 keV state of F19 : τm = 0 . 84 ± 0.04 × 10 -9 s, 580 keV state of Mg25 : τm = 4.97 ± 0.15 × 10-9 s.Deux mesures directes de vies moyennes d'états nucléaires excités ont été effectuées à l'aide d'un accélérateur pulsé. Elles concernent le premier niveau de 19F et de 25Mg. Les valeurs trouvées sont les suivantes : niveau à 110 keV du 19F : τm = 0,84 ± 0,04 × 10-9 s, niveau à 580 keV du 25Mg : τ m = 4,97 ± 0,15 × 10-9 s