Electronic properties in single crystalline and nanostructured systems in base of chalcogenides and magnetic or superconductive oxides

En este proyecto se propone estudiar las propiedades electrónicas y magnéticas locales y de bulto de sistemas monocristalinos y nanoestructurados de superconductores en base a Fe, (i.e. FeSe y FeSexTe1-x), calcogenuros de metales de transición (como CrTe ó FeTe), y óxidos superconductores y/o magnéticos. El problema a investigar es sobre como los mecanismos microscópicos determinan las propiedades físicas. Investigaremos los efectos de dopaje por implantación de iones, y el efecto de inhomogeneidades intrínsecas o extrínsecas, tales como interfases.In this project we propose to study the local and bulk electronic and magnetic properties of monocrystalline and nanostructured systems of superconductors based on Fe, (ie FeSe and FeSexTe1-x), transition metal chalcogenides (such as CrTe or FeTe), and superconductive and / or magnetic oxides. The problem to investigate is how the microscopic mechanisms determine the physical properties. We will investigate the effects of doping by ion implantation, and the effect of intrinsic or extrinsic inhomogeneities, such as interfaces

Competition between pinning produced by extrinsic random point disorder and superconducting thermal fluctuations in oxygen-deficient GdBa2Cu3Ox coated conductors

We report on the influence of random point defects introduced by 3 MeV proton irradiation on the vortex dynamics of 1.3 μm thick GdBa2Cu3Ox coated conductors. Thin films with different oxygen stoichiometry (6.7 < × < 7) were irradiated with 3 MeV proton (p) using a fluence of 2 × 1016 p cm−2. We find a direct correlation between the changes in Tc produced by oxygen content and damage by irradiation on the resulting vortex dynamics in the films. The analysis of the critical current densities Jc at low temperatures indicates that although irradiation produces smooth magnetic field dependences, the self-field values decrease systematically as Tc reduces. Moreover, the analysis of the relaxation of the persistent currents shows that the characteristic glassy exponent μ systematically decreases from 1.7 to 0.66 as Tc decreases from 93 to 55 K.Fil: Haberkorn, Nestor Fabian. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; ArgentinaFil: Guimpel, Julio Juan. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; ArgentinaFil: Suárez, S.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica; ArgentinaFil: Lee, Jae-Hun. No especifíca;Fil: Lee, Hunju. No especifíca;Fil: Moon, S.H.. No especifíca

The influence of thermal annealing on the photoconducting properties of BaSnO3 films

Starting from high-quality oxygen-deficient BaSnO3 films, we have monitored the evolution of their electrical conducting and photoconducting properties after subsequent post-thermal annealing in oxygen. In this way, we have been able to modify the electrical conductivity of the film by at least three orders of magnitude (from 18.2 to 0.013 ω - 1 m-1) by simply reducing the oxygen vacancies concentration after each thermal annealing. Even though the film holds its semiconducting-like behavior, we have observed a modification of the hopping parameters concomitant with a decrease in the Fermi energy level as the electrical conductivity is reduced. Similarly, the effective energy gap extracted from photoconductance spectroscopy measurements decreases as the Fermi energy level decreases suggesting the presence of in-gap states generated by oxygen vacancies. A direct energy bulk gap value of (3.8 ± 0.1) eV was obtained. While the photoconductivity increases from ≃ 4.6 to 73%, its slow time constants become less dominant as the electrical conductivity is decreased in accordance with a reduction of the oxygen vacancies density, which play a key role as electron-traps.Fil: Bridoux, German. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Laboratorio de Física del Sólido; ArgentinaFil: Ferreyra, Jorge Mario. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; ArgentinaFil: Guimpel, Julio Juan. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Nieva, Gladys Leonor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; ArgentinaFil: Villafuerte, Manuel Jose. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; Argentin

Microstructural control of the transport properties of β-FeSe films grown by sputtering

We have investigated the correlation between structural and transport properties in sputtered β-FeSe films grown onto SrTiO3 (100). The growth parameters, such as substrate temperature and thickness, have been varied in order to explore different regimes. In the limit of textured thick films, we found promising features like an enhanced Tc ∼ 12K, a relatively high Hc2 and a low anisotropy. By performing magnetoresistance and Hall coefficient measurements, we investigate the influence of the disorder associated with the textured morphology on some features attributed to subtle details of the multi-band electronic structure of β-FeSe. Regarding the superconductor-insulator transition (SIT) induced by reducing the thickness, we found a non-trivial evolution of the structural properties and morphology associated with a strained initial growth and the coalescence of grains. Our results reveal the key effects on the macroscopic electronic behaviour played by the lattice distortion in thin insulating samples and by the grain morphology in thicker superconducting films.Fil: Ale Crivillero, María Victoria. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Amigo, M.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Haberkorn, Nestor Fabian. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; ArgentinaFil: Nieva, G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); ArgentinaFil: Guimpel, Julio Juan. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; Argentin

Impact of atomic defects in the electronic states of FeSe1-x Sx superconducting crystals

The electronic properties of Fe-based superconductors are drastically affected by deformations on their crystal structure introduced by doping and pressure. Here we study single crystals of FeSe 1 − x Sx and reveal that local crystal deformations such as atomic-scale defects impact the spectral shape of the electronic core level states of the material. By means of scanning tunneling microscopy we image S-doping induced defects as well as diluted dumbbell defects associated with Fe vacancies. We have access to the electronic structure of the samples by means of x-ray photoemission spectroscopy (XPS) and show that the spectral shape of the Se core levels can only be adequately described by considering a principal plus a minor component of the electronic states. We find this result for both pure and S-doped samples, irrespective that in the latter case the material presents extra crystal defects associated to doping with S atoms. We argue that the second component in our XPS spectra is associated with the ubiquitous dumbbell defects in FeSe that are known to entail a significant modification of the electronic clouds of surrounding atoms

Systematic analysis of different experimental approaches to measure electronic stopping of very slow hydrogen ions

The electronic stopping cross section (SCS) of Ni for slow H+, H2 +, D+ and D2 + ions has been investigated for different types of targets in two complementary experimental geometries, i.e., in transmission and backscattering. To warrant sample purity, both a high purity nickel sheet and nanometer Ni layers were prepared in-situ under ultra-high-vacuum conditions. In an alternative approach, ultra-thin samples were prepared ex-situ as self-supporting foils and as nanometer films on a polished substrate (silicon). Identical SCS results are obtained in backscattering using the in-situ prepared film and the high purity sheet. The ex-situ prepared targets contained considerable concentrations of impurities of low atomic numbers, whose contribution to the SCS can be rectified by applying Bragg's rule using TRIM stopping for the impurities. In this way for the ex-situ targets the accuracy of the resulting SCS data is improved considerably. Concordant stopping cross section data are obtained in both geometries. The achieved accuracy does, however, not permit to spot a possible influence of different impact parameter regimes explored in transmission and in backscattering geometries.Fil: Roth, D.. Johannes Kepler Universitat Linz; AustriaFil: Celedon, C. E.. Universidad Técnica Federico Santa María; Chile. Johannes Kepler Universitat Linz; Austria. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro | Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Goebl, D.. Johannes Kepler Universitat Linz; AustriaFil: Sánchez, Esteban Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro | Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Bruckner, B.. Johannes Kepler Universitat Linz; AustriaFil: Steinberger, R.. Johannes Kepler Universitat Linz; AustriaFil: Guimpel, Julio Juan. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro | Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Arista, Nestor Ricardo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro | Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Bauer, P.. Johannes Kepler Universitat Linz; Austri

Franz-Keldysh effect in epitaxial ZnO thin films

Photoconductance spectroscopy has been studied in epitaxial ZnO thin films with different thicknesses that range between 136 and 21 nm. We report a systematic decrease in photoconductivity and a red shift in band edge photoconductance spectra when the thickness is reduced. For thinner films, it is found that the effective energy gap value diminishes. By time dependent photoconductivity measurements, we found an enhanced contribution of the slow relaxation times for thicker films. These effects are interpreted in terms of a band-bending contribution where the Franz-Keldysh effect and the polarization of ZnO play a major role in thinner films.Fil: Bridoux, German. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; ArgentinaFil: Villafuerte, Manuel Jose. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; ArgentinaFil: Ferreyra, Jorge Mario. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; ArgentinaFil: Guimpel, Julio Juan. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Universidad Nacional de Cuyo; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Nieva, Gladys Leonor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Nacional de Cuyo; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica; ArgentinaFil: Figueroa, Carlos Alejandro. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; ArgentinaFil: Straube, Benjamin. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; ArgentinaFil: Pérez, Silvia Inés. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentin

Thickness dependence of the superconducting properties of γ- Mo2N thin films on Si (001) grown by DC sputtering at room temperature

We study the crystalline structure and superconducting properties of γ-Mo2N thin films grown by reactive DC sputtering on AlN buffered Si (001) substrates. The films were grown at room temperature. The microstructure of the films, which was studied by X-ray diffraction and transmission electron microscopy, shows a single-phase with nanometric grains textured along the (200) direction. The films exhibit highly uniform thickness in areas larger than 20 × 20 μm2. The superconducting critical temperature Tc is suppressed from 6.6 K to ≈ 3.0 K when the thickness decreases from 40 nm to 5 nm. The residual-resistivity ratio is slightly smaller than 1 for all the films, which indicates very short electronic mean free path. The films are in the superconducting dirty limit with upper critical field Hc2 (0) ≈ 12 T for films with thickness of 40 nm, and 9 T for films with thickness of 10 nm. In addition, from the critical current densities Jc in the vortex-free state, we estimate a penetration depth λ(0) ≈ (800 ± 50) nm and a thermodynamic critical field Hc (0) = (500 ± 80 Oe).Fil: Haberkorn, Nestor Fabian. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Bengió, Silvina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Troiani, Horacio Esteban. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Suarez, Sergio Gabriel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Pérez, Pablo Daniel. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Granell, Pablo Nicolás. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Instituto Nacional de Tecnología Industrial; ArgentinaFil: Golmar, Federico. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Instituto Nacional de Tecnología Industrial; ArgentinaFil: Sirena, Martin. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Guimpel, Julio Juan. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentin

Substrate effect on the magnetic behavior of manganite films

The film thickness (t)(t) dependence of the magnetic properties of La0.6Sr0.4MnO3La0.6Sr0.4MnO3 (LSMO) films grown on (001) MgO and (001) SrTiO3SrTiO3 substrates has been studied. Hysteresis loops measured at low temperature show a smooth increase of the retentivity accompanied by a decrease of the coercitive field as the film thickness increases. The increase of coercitivity with decreasing tt can be interpreted in terms of a change in the domain structure of the films mainly due to an augmentation of domain pinning defects. The magnetic anisotropy has been measured using ferromagnetic resonance (FMR). A volume (VA) and a surface (SA) anisotropy contribution have been deduced from FMR angular dependence studies for both series of samples. In the LSMO films grown on MgO a VA component that corresponds to an easy-axis perpendicular to the plane of the films has been found while in contrast, the LSMO films grown on SrTiO3SrTiO3 present an easy-plane anisotropy. The SA is positive for both series favoring a perpendicular magnetic anisotropy. The measured magnetic anisotropy has been assigned to substrate-induced effects.Fil: Steren, Laura Beatriz. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Sirena, Martin. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Guimpel, Julio Juan. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentin

Substrate influence on the magnetoresistance and magnetic order in La0.6Sr0.4MnO3 films

We report structural, magnetic and transport measurements on La0.6Sr0.4MnO3 thin films grown on MgO and TiSrO3 substrates with thickness varying from 5 to 500 nm. We find that the lattice mismatch between substrates and films affects the morphology and induced-strains of the films. We show that these two different effects strongly influence the ferromagnetic order, the metal-insulator transition, the localization of the current carriers and the magnetoresistance of these materials.Fil: Steren, Laura Beatriz. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; ArgentinaFil: Sirena, Martin. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; ArgentinaFil: Guimpel, Julio Juan. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentin