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Aging and gate bias effects on TID sensitivity of wide bandgap power devices
Get PDFThe effect of oxide stress on the total ionizing dose (TID) radiation sensitivity of silicon carbide (SiC) power MOSFETS and TID sensitivity of gallium nitride (GaN) power transistor is reported. Difference in TID response for stressed and unstressed devices was observed
Vernünfftige Gedancken über die Schwachheiten jetziger Zeit, Welche von den meisten unbedachtsam begangen, Von den wenigsten aber vor unanständig erkennt werden
No full textAutopsie nach Ex. der ULB Sachsen-AnhaltPaginierungsfehler: Vorwort paginiert als S. 193 - 198, Haupttext S. 1 - 192Vorlageform des Erscheinungsvermerks: Lauban, bey Nicolao Schillen. 1733
Prophetisches Gesichte, von der Geburt einer unterirdischen Prinzeßin; nach der Urschrift der Weissagung, welche zu Rom im Vatican, in einem heiligen Raritäten- und Reliquien-Kasten; unter N. R. Acht, in Romanisch-, Sclavonisch-, Kalmuckisch-, Schwedisch- und Französischen Sprachen, in diesen Tagen gefunden und gegenwärtig nach dem Englischen Schlüssel, ins Deutsche übersetzet und erkläret wird
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Etude de la dégradation des composants optoélectroniques en environnement spatial (mise au point de nouvelles méthodes de prédiction)
No full textMONTPELLIER-BU Sciences (341722106) / SudocSudocFranceF
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