2 research outputs found

    ΠΠΠ‘Π Π«Π—Π“Π‘Π•Π’ΠžΠ Π’ ШАΠ₯ВНОМ Π‘Π’Π ΠžΠ˜Π’Π•Π›Π¬Π‘Π’Π’Π•

    No full text
    Π’ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ особСнности ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²Π° ΠΏΠΎΠ΄Π·Π΅ΠΌΠ½Ρ‹Ρ… сооруТСний с использованиСм Π½Π°Π±Ρ€Ρ‹Π·Π³Π±Π΅Ρ‚ΠΎΠ½Π° Π² качСствС ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ сооруТСния ΡˆΠ°Ρ…Ρ‚ с конструкциями ΠΈΠ· Π½Π°Π±Ρ€Ρ‹Π·Π³Π±Π΅Ρ‚ΠΎΠ½Π°, Π² Ρ‚.Ρ‡. проСктируСмая ΡˆΠ°Ρ…Ρ‚Π° с Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ стволом. ИзлоТСн ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ расчСта сооруТСния ΡˆΠ°Ρ…Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ствола с ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½Π°Π±Ρ€Ρ‹Π·Π³Π±Π΅Ρ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠΈ, Π΄Π°Π½Ρ‹ основныС аналитичСскиС зависимости, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ роста напряТСний Π² ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠΈ для Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… участков ΠΏΠΎ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π°ΠΌ фактичСских ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€Π½ΠΎ-гСологичСских изысканий. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ исслСдования свойств Π±Π΅Ρ‚ΠΎΠ½Π° с ускорСнным Π½Π°Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ прочности ΠΏΡ€ΠΈ сооруТСнии ΡˆΠ°Ρ…Ρ‚ Π² Π³ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ Π΄Π΅Π»Π΅ ΠΈ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²Π΅ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² транспортной инфраструктуры. ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… исслСдований Π½Π°Π±Ρ€Ρ‹Π·Π³Π±Π΅Ρ‚ΠΎΠ½Π° с ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π΅Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈ химичСскими Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΊΠ°ΠΌΠΈ. УстановлСно ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎ-мСханичСских характСристик ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π½Π°Π±Ρ€Ρ‹Π·Π³Π±Π΅Ρ‚ΠΎΠ½Π° ΠΏΡ€ΠΈ использовании комплСксной Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ наносодСрТащСй Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΊΠΈ Π² составС Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ вяТущСго. ΠŸΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Π°Ρ ΠΊΠΈΠ½Π΅Ρ‚ΠΈΠΊΠ° Π½Π°Π±ΠΎΡ€Π° прочности ΠΏΡ€ΠΈ Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠΈ ускоритСлСй позволяСт ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ составы Π½Π°Π±Ρ€Ρ‹Π·Π³Π±Π΅Ρ‚ΠΎΠ½Π° практичСски для Π»ΡŽΠ±Ρ‹Ρ… устойчивых ΠΈ срСднСустойчивых ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ΄ ΠΏΡ€ΠΈ устройствС ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π·Π΅ΠΌΠ½Ρ‹Ρ… сооруТСний

    Influence of color centers on the luminescent response of radiation-damaged CsI: Tl crystal

    No full text
    Luminescence properties of Tl0va+ and Tl+vc- color centers induced by irradiation in CsI:Tl crystal are studied within a temperature range of 80-300 K. It is found, that electron Tl0va+ and hole Tl+vc- color centers arising due to radiation damage do not reduce conversion efficiency of CsI:Tl crystal, but participate in scintillation process to get energy from Tl+ centers by resonance. Degradation of the light yield of the irradiated CsI:Tl crystal is caused by the radiative energy transfer from Tl+ to Tl0va+ centers, whose emission is quenched at temperature above 210 K. Non-radiative energy transfer from Tl+to Tl+vc- centers results in long-wave spectral shift and the duration increase of the scintillation pulse
    corecore