232 research outputs found

    Performance Implications of NoCs on 3D-Stacked Memories: Insights from the Hybrid Memory Cube

    Full text link
    Memories that exploit three-dimensional (3D)-stacking technology, which integrate memory and logic dies in a single stack, are becoming popular. These memories, such as Hybrid Memory Cube (HMC), utilize a network-on-chip (NoC) design for connecting their internal structural organizations. This novel usage of NoC, in addition to aiding processing-in-memory capabilities, enables numerous benefits such as high bandwidth and memory-level parallelism. However, the implications of NoCs on the characteristics of 3D-stacked memories in terms of memory access latency and bandwidth have not been fully explored. This paper addresses this knowledge gap by (i) characterizing an HMC prototype on the AC-510 accelerator board and revealing its access latency behaviors, and (ii) by investigating the implications of such behaviors on system and software designs

    Reducing dram access latency by exploiting dram leakage characteristics and common access patterns

    Get PDF
    DRAM tabanlı bellek, bilgisayar sisteminde darboğaz oluşturarak sistemin başarımı sınırlayan en önemli bileşendir. Bunun sebebi işlemcilerin hız bakımından DRAM'lerin çok önünde olmasıdır. Bu tezde, ChargeCache ismini verdiğimiz, DRAM'lerin erişim gecikmesini azaltan bir yöntem geliştirdik. Bu yöntem, piyasadaki DRAM yongalarının mimarisinde bir değişiklik gerektirmediği gibi, bellek denetimcisinde de düşük donanım maliyeti olan ek birimlere ihtiyaç duymaktadır. ChargeCache, yeni erişilmiş DRAM satırlarının kısa bir süre sonra tekrar erişileceği gözlemine dayanmaktadır. Yeni erişilmiş satırlardaki DRAM hücreleri yüksek miktarda yük içerdiğinden, bunlara hızlı bir şekilde erişilebilir. Bu gözlemden faydalanmak için yeni erişilen satırların adreslerini bellek denetimcisi içerisinde bir tabloda tutmayı öneriyoruz. Sonraki erişim isteklerinin bu tablodaki satırlara erişmek istemesi durumunda, bellek denetimcisi yük miktarı yüksek hücrelerin erişilmek üzere olduğunu bileceğinden, DRAM erişim değiştirgelerini ayarlayarak erişimin düşük gecikmeyle tamamlanmasını sağlayabilir. Belirli bir süre sonra tablodaki satır adresleri silinerek, zaman içerisinde çok fazla yük kaybedip hızlı erişilebilme özelliğini yitirmiş satırların bu tablodan çıkarılması sağlanır. Önerdiğimiz yöntemi hem tek çekirdekli hem de çok çekirdekli mimarilerde benzetim ortamında deneyerek, yöntemin başarım ve enerji kullanımı açısından sistem üzerinde sağladığı iyileştirmeleri inceledik.DRAM-based memory is a critical factor that creates a bottleneck on the system performance since the processor speed largely outperforms the DRAM latency. In this thesis, we develop a low-cost mechanism, called ChargeCache, which enables faster access to recently-accessed rows in DRAM, with no modifications to DRAM chips. Our mechanism is based on the key observation that a recently-accessed row has more charge and thus the following access to the same row can be performed faster. To exploit this observation, we propose to track the addresses of recently-accessed rows in a table in the memory controller. If a later DRAM request hits in that table, the memory controller uses lower timing parameters, leading to reduced DRAM latency. Row addresses are removed from the table after a specified duration to ensure rows that have leaked too much charge are not accessed with lower latency. We evaluate ChargeCache on a wide variety of workloads and show that it provides significant performance and energy benefits for both single-core and multi-core systems
    corecore