Robust low-power digital circuit design in nano-CMOS technologies

Device scaling has resulted in large scale integrated, high performance, low-power, and low cost systems. However the move towards sub-100 nm technology nodes has increased variability in device characteristics due to large process variations. Variability has severe implications on digital circuit design by causing timing uncertainties in combinational circuits, degrading yield and reliability of memory elements, and increasing power density due to slow scaling of supply voltage. Conventional design methods add large pessimistic safety margins to mitigate increased variability, however, they incur large power and performance loss as the combination of worst cases occurs very rarely. In-situ monitoring of timing failures provides an opportunity to dynamically tune safety margins in proportion to on-chip variability that can significantly minimize power and performance losses. We demonstrated by simulations two delay sensor designs to detect timing failures in advance that can be coupled with different compensation techniques such as voltage scaling, body biasing, or frequency scaling to avoid actual timing failures. Our simulation results using 45 nm and 32 nm technology BSIM4 models indicate significant reduction in total power consumption under temperature and statistical variations. Future work involves using dual sensing to avoid useless voltage scaling that incurs a speed loss. SRAM cache is the first victim of increased process variations that requires handcrafted design to meet area, power, and performance requirements. We have proposed novel 6 transistors (6T), 7 transistors (7T), and 8 transistors (8T)-SRAM cells that enable variability tolerant and low-power SRAM cache designs. Increased sense-amplifier offset voltage due to device mismatch arising from high variability increases delay and power consumption of SRAM design. We have proposed two novel design techniques to reduce offset voltage dependent delays providing a high speed low-power SRAM design. Increasing leakage currents in nano-CMOS technologies pose a major challenge to a low-power reliable design. We have investigated novel segmented supply voltage architecture to reduce leakage power of the SRAM caches since they occupy bulk of the total chip area and power. Future work involves developing leakage reduction methods for the combination logic designs including SRAM peripherals

inSense: A Variation and Fault Tolerant Architecture for Nanoscale Devices

Transistor technology scaling has been the driving force in improving the size, speed, and power consumption of digital systems. As devices approach atomic size, however, their reliability and performance are increasingly compromised due to reduced noise margins, difficulties in fabrication, and emergent nano-scale phenomena. Scaled CMOS devices, in particular, suffer from process variations such as random dopant fluctuation (RDF) and line edge roughness (LER), transistor degradation mechanisms such as negative-bias temperature instability (NBTI) and hot-carrier injection (HCI), and increased sensitivity to single event upsets (SEUs). Consequently, future devices may exhibit reduced performance, diminished lifetimes, and poor reliability. This research proposes a variation and fault tolerant architecture, the inSense architecture, as a circuit-level solution to the problems induced by the aforementioned phenomena. The inSense architecture entails augmenting circuits with introspective and sensory capabilities which are able to dynamically detect and compensate for process variations, transistor degradation, and soft errors. This approach creates ``smart\u27\u27 circuits able to function despite the use of unreliable devices and is applicable to current CMOS technology as well as next-generation devices using new materials and structures. Furthermore, this work presents an automated prototype implementation of the inSense architecture targeted to CMOS devices and is evaluated via implementation in ISCAS \u2785 benchmark circuits. The automated prototype implementation is functionally verified and characterized: it is found that error detection capability (with error windows from $\approx$30-400ps) can be added for less than 2\% area overhead for circuits of non-trivial complexity. Single event transient (SET) detection capability (configurable with target set-points) is found to be functional, although it generally tracks the standard DMR implementation with respect to overheads

Towards Energy-Efficient and Reliable Computing: From Highly-Scaled CMOS Devices to Resistive Memories

The continuous increase in transistor density based on Moore\u27s Law has led us to highly scaled Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS) technologies. These transistor-based process technologies offer improved density as well as a reduction in nominal supply voltage. An analysis regarding different aspects of 45nm and 15nm technologies, such as power consumption and cell area to compare these two technologies is proposed on an IEEE 754 Single Precision Floating-Point Unit implementation. Based on the results, using the 15nm technology offers 4-times less energy and 3-fold smaller footprint. New challenges also arise, such as relative proportion of leakage power in standby mode that can be addressed by post-CMOS technologies. Spin-Transfer Torque Random Access Memory (STT-MRAM) has been explored as a post-CMOS technology for embedded and data storage applications seeking non-volatility, near-zero standby energy, and high density. Towards attaining these objectives for practical implementations, various techniques to mitigate the specific reliability challenges associated with STT-MRAM elements are surveyed, classified, and assessed herein. Cost and suitability metrics assessed include the area of nanomagmetic and CMOS components per bit, access time and complexity, Sense Margin (SM), and energy or power consumption costs versus resiliency benefits. In an attempt to further improve the Process Variation (PV) immunity of the Sense Amplifiers (SAs), a new SA has been introduced called Adaptive Sense Amplifier (ASA). ASA can benefit from low Bit Error Rate (BER) and low Energy Delay Product (EDP) by combining the properties of two of the commonly used SAs, Pre-Charge Sense Amplifier (PCSA) and Separated Pre-Charge Sense Amplifier (SPCSA). ASA can operate in either PCSA or SPCSA mode based on the requirements of the circuit such as energy efficiency or reliability. Then, ASA is utilized to propose a novel approach to actually leverage the PV in Non-Volatile Memory (NVM) arrays using Self-Organized Sub-bank (SOS) design. SOS engages the preferred SA alternative based on the intrinsic as-built behavior of the resistive sensing timing margin to reduce the latency and power consumption while maintaining acceptable access time

Radiation Hardened by Design Methodologies for Soft-Error Mitigated Digital Architectures

abstract: Digital architectures for data encryption, processing, clock synthesis, data transfer, etc. are susceptible to radiation induced soft errors due to charge collection in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) integrated circuits (ICs). Radiation hardening by design (RHBD) techniques such as double modular redundancy (DMR) and triple modular redundancy (TMR) are used for error detection and correction respectively in such architectures. Multiple node charge collection (MNCC) causes domain crossing errors (DCE) which can render the redundancy ineffectual. This dissertation describes techniques to ensure DCE mitigation with statistical confidence for various designs. Both sequential and combinatorial logic are separated using these custom and computer aided design (CAD) methodologies. Radiation vulnerability and design overhead are studied on VLSI sub-systems including an advanced encryption standard (AES) which is DCE mitigated using module level coarse separation on a 90-nm process with 99.999% DCE mitigation. A radiation hardened microprocessor (HERMES2) is implemented in both 90-nm and 55-nm technologies with an interleaved separation methodology with 99.99% DCE mitigation while achieving 4.9% increased cell density, 28.5 % reduced routing and 5.6% reduced power dissipation over the module fences implementation. A DMR register-file (RF) is implemented in 55 nm process and used in the HERMES2 microprocessor. The RF array custom design and the decoders APR designed are explored with a focus on design cycle time. Quality of results (QOR) is studied from power, performance, area and reliability (PPAR) perspective to ascertain the improvement over other design techniques. A radiation hardened all-digital multiplying pulsed digital delay line (DDL) is designed for double data rate (DDR2/3) applications for data eye centering during high speed off-chip data transfer. The effect of noise, radiation particle strikes and statistical variation on the designed DDL are studied in detail. The design achieves the best in class 22.4 ps peak-to-peak jitter, 100-850 MHz range at 14 pJ/cycle energy consumption. Vulnerability of the non-hardened design is characterized and portions of the redundant DDL are separated in custom and auto-place and route (APR). Thus, a range of designs for mission critical applications are implemented using methodologies proposed in this work and their potential PPAR benefits explored in detail.Dissertation/ThesisDoctoral Dissertation Electrical Engineering 201

Cross-Layer Optimization for Power-Efficient and Robust Digital Circuits and Systems

With the increasing digital services demand, performance and power-efficiency become vital requirements for digital circuits and systems. However, the enabling CMOS technology scaling has been facing significant challenges of device uncertainties, such as process, voltage, and temperature variations. To ensure system reliability, worst-case corner assumptions are usually made in each design level. However, the over-pessimistic worst-case margin leads to unnecessary power waste and performance loss as high as 2.2x. Since optimizations are traditionally confined to each specific level, those safe margins can hardly be properly exploited. To tackle the challenge, it is therefore advised in this Ph.D. thesis to perform a cross-layer optimization for digital signal processing circuits and systems, to achieve a global balance of power consumption and output quality. To conclude, the traditional over-pessimistic worst-case approach leads to huge power waste. In contrast, the adaptive voltage scaling approach saves power (25% for the CORDIC application) by providing a just-needed supply voltage. The power saving is maximized (46% for CORDIC) when a more aggressive voltage over-scaling scheme is applied. These sparsely occurred circuit errors produced by aggressive voltage over-scaling are mitigated by higher level error resilient designs. For functions like FFT and CORDIC, smart error mitigation schemes were proposed to enhance reliability (soft-errors and timing-errors, respectively). Applications like Massive MIMO systems are robust against lower level errors, thanks to the intrinsically redundant antennas. This property makes it applicable to embrace digital hardware that trades quality for power savings.Comment: 190 page

Design and Robustness Analysis on Non-volatile Storage and Logic Circuit

By combining the flexibility of MOS logic and the non-volatility of spintronic devices, spin-MOS logic and storage circuitry offer a promising approach to implement highly integrated, power-efficient, and nonvolatile computing and storage systems. Besides the persistent errors due to process variations, however, the functional correctness of Spin-MOS circuitry suffers from additional non-persistent errors that are incurred by the randomness of spintronic device operations, i.e., thermal fluctuations. This work quantitatively investigates the impact of thermal fluctuations on the operations of two typical Spin-MOS circuitry: one transistor and one magnetic tunnel junction (1T1J) spin-transfer torque random access memory (STT-RAM) cell and a nonvolatile latch design. A new nonvolatile latch design is proposed based on magnetic tunneling junction (MTJ) devices. In the standby mode, the latched data can be retained in the MTJs without consuming any power. Two types of operation errors can occur, namely, persistent and non-persistent errors. These are quantitatively analyzed by including models for process variations and thermal fluctuations during the read and write operations. A mixture importance sampling methodology is applied to enable yield-driven design and extend its application beyond memories to peripheral circuits and logic blocks. Several possible design techniques to reduce thermal induced non-persistent error rate are also discussed

A Statistical STT-RAM Design View and Robust Designs at Scaled Technologies

Rapidly increased demands for memory in electronic industry and the significant technical scaling challenges of all conventional memory technologies motivated the researches on the next generation memory technology. As one promising candidate, spin-transfer torque random access memory (STT-RAM) features fast access time, high density, non-volatility, and good CMOS process compatibility. In recent years, many researches have been conducted to improve the storage density and enhance the scalability of STT-RAM, such as reducing the write current and switching time of magnetic tunneling junction (MTJ) devices. In parallel with these efforts, the continuous increasing of tunnel magneto-resistance(TMR) ratio of the MTJ inspires the development of multi-level cell (MLC) STT-RAM, which allows multiple data bits be stored in a single memory cell. Two types of MLC STT-RAM cells, namely, parallel MLC and series MLC, were also proposed. However, like all other nanoscale devices, the performance and reliability of STT-RAM cells are severely affected by process variations, intrinsic device operating uncertainties and environmental fluctuations. The storage margin of a MLC STT-RAM cell, i.e., the distinction between the lowest and highest resistance states, is partitioned into multiple segments for multi-level data representation. As a result, the performance and reliability of MLC STT-RAM cells become more sensitive to the MOS and MTJ device variations and the thermal-induced randomness of MTJ switching. In this work, we systematically analyze the impacts of CMOS and MTJ process variations, MTJ resistance switching randomness that induced by intrinsic thermal fluctuations, and working temperature changes on STT-RAM cell designs. The STT-RAM cell reliability issues in both read and write operations are first investigated. A combined circuit and magnetic simulation platform is then established to quantitatively study the persistent and non-persistent errors in STT-RAM cell operations. Then, we analyzed the extension of STT-RAM cell behaviors from SLC (single-level- cell) to MLC (multi-level- cell). On top of that, we also discuss the optimal device parameters of the MLC MTJ for the minimization of the operation error rate of the MLC STT-RAM cells from statistical design perspective. Our simulation results show that under the current available technology, series MLC STT-RAM demonstrates overwhelming benefits in the read and write reliability compared to parallel MLC STT-RAM and could potentially satisfy the requirement of commercial practices. Finally, with the detail analysis study of STT-RAM cells, we proposed several error reduction design, such as ADAMS structure, and FA-STT structure

ENHANCEMENT OF MARKOV RANDOM FIELD MECHANISM TO ACHIEVE FAULT-TOLERANCE IN NANOSCALE CIRCUIT DESIGN

As the MOSFET dimensions scale down towards nanoscale level, the reliability of circuits based on these devices decreases. Hence, designing reliable systems using these nano-devices is becoming challenging. Therefore, a mechanism has to be devised that can make the nanoscale systems perform reliably using unreliable circuit components. The solution is fault-tolerant circuit design. Markov Random Field (MRF) is an effective approach that achieves fault-tolerance in integrated circuit design. The previous research on this technique suffers from limitations at the design, simulation and implementation levels. As improvements, the MRF fault-tolerance rules have been validated for a practical circuit example. The simulation framework is extended from thermal to a combination of thermal and random telegraph signal (RTS) noise sources to provide a more rigorous noise environment for the simulation of circuits build on nanoscale technologies. Moreover, an architecture-level improvement has been proposed in the design of previous MRF gates. The redesigned MRF is termed as Improved-MRF. The CMOS, MRF and Improved-MRF designs were simulated under application of highly noisy inputs. On the basis of simulations conducted for several test circuits, it is found that Improved-MRF circuits are 400 whereas MRF circuits are only 10 times more noise-tolerant than the CMOS alternatives. The number of transistors, on the other hand increased from a factor of 9 to 15 from MRF to Improved-MRF respectively (as compared to the CMOS). Therefore, in order to provide a trade-off between reliability and the area overhead required for obtaining a fault-tolerant circuit, a novel parameter called as ‘Reliable Area Index’ (RAI) is introduced in this research work. The value of RAI exceeds around 1.3 and 40 times for MRF and Improved-MRF respectively as compared to CMOS design which makes Improved- MRF to be still 30 times more efficient circuit design than MRF in terms of maintaining a suitable trade-off between reliability and area-consumption of the circuit

Approximate hardening techniques for digital signal processing circuits against radiation-induced faults

RESUMEN NO TÉCNICO. Se llama radiación al proceso por el cual una partícula o una onda es capaz de transmitir energía a través del espacio o un medio material. Si la energía transmitida es suficientemente alta, la radiación puede provocar que algunos electrones se desplacen de su posición, en un proceso llamado ionización. La radiación ionizante puede provocar problemas a los seres vivos, pero también a los diversos materiales que componen los sistemas eléctricos y electrónicos utilizados en entornos sujetos a radiación. Existen en La Tierra varios procesos que emiten radiación ionizante, como la obtención de energía en centrales nucleares o ciertos procedimientos médicos. Sin embargo, las fuentes de radiación más importantes se sitúan más allá de nuestra atmósfera y afectan fundamentalmente a sistemas aeroespaciales y vuelos de gran altitud. Debido a la radiación, los sistemas electrónicos que se exponen a cualquiera de estas fuentes sufren degradación en sus propiedades a lo largo del tiempo y pueden sufrir fallos catastróficos que acorten su vida útil. El envejecimiento de los componentes se produce por acumulación de carga eléctrica en el material, lo que se conoce como Dosis Ionizante Total (TID por sus siglas en inglés), o por distorsiones en el silicio sobre el que se fabrican los circuitos, lo que se conoce como Daño por Desplazamiento (DD). Una única partícula ionizante puede, sin embargo, provocar también diversos tipos de fallos transitorios o permanentes en los componentes de un circuito, generalmente por un cambio de estado en un elemento de memoria o fallos destructivos en un transistor. Los diferentes tipos de fallos producidos en circuitos por la acción de una única partícula ionizante se engloban en la categoría de Efectos de Evento Único (SEE por sus siglas en inglés). Para proteger los sistemas electrónicos frente a los efectos de la radiación se suele recurrir a un conjunto de técnicas que llamamos endurecimiento frente a radiación. Los procedimientos tradicionales de endurecimiento han consistido en la fabricación de componentes electrónicos mediante procesos especiales que les confieran una resistencia inherente frente a la TID, el DD y los SEE. A este conjunto de técnicas de endurecimiento se lo conoce como Endurecimiento frente a la Radiación Por Proceso (RHBP por sus siglas en inglés). Estos procedimientos suelen aumentar el coste de los componentes y empeorar su rendimiento con respecto a los componentes que usamos en nuestros sistemas electrónicos cotidianos. En oposición a las técnicas RHBP encontramos las técnicas de Endurecimiento frente a la Radiación Por Diseño (RHBD por sus siglas en inglés). Estas técnicas permiten detectar y tratar de corregir fallos producidos por la radiación introduciendo modificaciones en los circuitos. Estas modificaciones suelen aumentar la complejidad de los circuitos que se quiere endurecer, haciendo que consuman más energía, ocupen más espacio o funcionen a menor frecuencia, pero estas desventajas se pueden compensar con la disminución de los costes de fabricación y la mejora en las prestaciones que aportan los sistemas modernos. En un intento por reducir el coste de las misiones espaciales y mejorar sus capacidades, en los últimos años se trata de introducir un mayor número de Componentes Comerciales (COTS por sus siglas en inglés), endurecidos mediante técnicas RHBD. Las técnicas RHBD habituales se basan en la adición de elementos redundantes idénticos al original, cuyos resultados se pueden comparar entre sí para obtener información acerca de la existencia de un error (si sólo se usa un circuito redundante, Duplicación Con Comparación [DWC]) o llegar incluso a corregir un error detectado de manera automática, si se emplean dos o más réplicas redundantes, siendo el caso más habitual la Redundancia Modular Triple (TMR) en todas sus variantes. El trabajo desarrollado en esta Tesis gira en torno a las técnicas de endurecimiento RHBD de sistemas electrónicos comerciales. En concreto, se trata de proponer y caracterizar nuevas técnicas de endurecimiento que permitan reducir el alto consumo de recursos de las utilizadas habitualmente. Para ello, se han desarrollado técnicas de endurecimiento que aprovechan cálculos aproximados para detectar y corregir fallos en circuitos electrónicos digitales para procesamiento de señal implementados en FPGA comerciales, dispositivos que permiten implementar circuitos electrónicos digitales a medida y reconfigurarlos tantas veces como se quiera. A lo largo de esta Tesis se han desarrollado diferentes circuitos de prueba endurecidos mediante TMR y se ha comparado su rendimiento con los de otras técnicas de Redundancia Aproximada, en concreto la Redundancia de Precisión Reducida (RPR), la Redundancia de Resolución Reducida (RRR) y la Redundancia Optimizada para Algoritmos Compuestos (ORCA): • La Redundancia de Precisión Reducida se basa en la utilización de dos réplicas redundantes que calculan resultados con un menor número de bits que el circuito original. De este modo se pueden disminuir los recursos necesitados por el circuito, aunque las correcciones en caso de fallo son menos precisas que en el TMR. En este trabajo exploramos también la RPR Escalada como un método de obtener un balance óptimo entre la precisión y el consumo de recursos. • La Redundancia de Resolución Reducida es una técnica propuesta originalmente en esta tesis. Está pensada para algoritmos que trabajan con información en forma de paquetes cuyos datos individuales guardan alguna relación entre sí. Las réplicas redundantes calculan los resultados con una fracción de los datos de entrada originales, lo que reduce su tamaño y permite correcciones aproximadas en caso de fallo. • La Redundancia Optimizada para Algoritmos Compuestos es también una aportación original de esta tesis. Está indicada para algoritmos cuyo resultado final puede expresarse como la composición de resultados intermedios calculados en etapas anteriores. Las réplicas redundantes se forman como bloques que calculan resultados intermedios y el resultado de su composición se puede comparar con el resultado original. Este método permite reducir recursos y proporciona resultados de corrección exactos en la mayor parte de los casos, lo que supone una mejora importante con respecto a las correcciones de los métodos anteriores. La eficacia de las técnicas de endurecimiento desarrolladas se ha probado mediante experimentos de inyección de fallos y mediante ensayos en instalaciones de aceleradores de partículas preparadas para la irradiación de dispositivos electrónicos. En concreto, se han realizado ensayos de radiación con protones en el Centro Nacional de Aceleradores (CNA España), el Paul Scherrer Institut (PSI, Suiza) y ensayos de radiación con neutrones en el laboratorio ISIS Neutron and Muon Source (ChipIR, Reino Unido).RESUMEN TÉCNICO. Se llama radiación al proceso por el cual una partícula o una onda es capaz de transmitir energía a través del espacio o un medio material. Si la energía transmitida es suficientemente alta, la radiación puede provocar que algunos electrones se desplacen de su posición, en un proceso llamado ionización. La radiación ionizante puede provocar problemas a los seres vivos, pero también a los diversos materiales que componen los sistemas eléctricos y electrónicos utilizados en entornos sujetos a radiación. Existen en La Tierra varios procesos que emiten radiación ionizante, como la obtención de energía en centrales nucleares o ciertos procedimientos médicos. Sin embargo, las fuentes de radiación más importantes se sitúan más allá de nuestra atmósfera y afectan fundamentalmente a sistemas aeroespaciales y vuelos de gran altitud. Debido a la radiación, los sistemas electrónicos que se exponen a cualquiera de estas fuentes sufren degradación en sus propiedades a lo largo del tiempo y pueden sufrir fallos catastróficos que acorten su vida útil. El envejecimiento de los componentes se produce por acumulación de carga eléctrica en el material, lo que se conoce como Dosis Ionizante Total (TID, Total Ionizing Dose), o por distorsiones acumuladas en la matriz cristalina del silicio en el que se fabrican los circuitos, lo que se conoce como Daño por Desplazamiento (DD, Displacement Damage). Una única partícula ionizante puede, sin embargo, provocar también diversos tipos de fallos transitorios o permanentes en los componentes de un circuito, generalmente por un cambio de estado en un elemento de memoria o la activación de circuitos parasitarios en un transistor. Los diferentes tipos de fallos producidos en circuitos por la acción de una única partícula ionizante se engloban en la categoría de Efectos de Evento Único (SEE, Single Event Effects). Para proteger los sistemas electrónicos frente a los efectos de la radiación se suele recurrir a un conjunto de técnicas que llamamos endurecimiento frente a radiación. Los procedimientos tradicionales de endurecimiento han consistido en la fabricación de componentes electrónicos mediante procesos especiales que les confieran una resistencia inherente frente a la TID, el DD y los SEE. A este conjunto de técnicas de endurecimiento se lo conoce como Endurecimiento frente a la Radiación Por Proceso (RHBP, por sus siglas en inglés). Estos procedimientos suelen aumentar el coste de los componentes y empeorar su rendimiento con respecto a los componentes que usamos en nuestros sistemas electrónicos cotidianos. En oposición a las técnicas RHBP encontramos las técnicas de Endurecimiento frente a la Radiación Por Diseño (RHBD, por sus siglas en inglés). Estas técnicas permiten detectar y tratar de corregir fallos producidos por la radiación introduciendo modificaciones en los circuitos. Estas modificaciones suelen aumentar la complejidad de los circuitos que se quiere endurecer, haciendo que consuman más energía, ocupen más espacio o funcionen a menor frecuencia, pero estas desventajas se pueden compensar con la disminución de los costes de fabricación y la mejora en las prestaciones que aportan los sistemas modernos. En un intento por reducir el coste de las misiones espaciales y mejorar sus capacidades, en los últimos años se trata de introducir un mayor número de Componentes Comerciales (COTS, por sus siglas en inglés), endurecidos mediante técnicas RHBD. Las técnicas RHBD habituales se basan en la adición de elementos redundantes idénticos al original, cuyos resultados se pueden comparar entre sí para obtener información acerca de la existencia de un error (si sólo se usa un circuito redundante, Duplicación Con Comparación [DWC, Duplication With Comparison]) o llegar incluso a corregir un error detectado de manera automática, si se emplean dos o más réplicas redundantes, siendo el caso más habitual la Redundancia Modular Triple (TMR, Triple Modular Redundancy) en todas sus variantes. El trabajo desarrollado en esta Tesis gira en torno a las técnicas de endurecimiento RHBD de sistemas electrónicos comerciales. En concreto, se trata de proponer y caracterizar nuevas técnicas de endurecimiento que permitan reducir el alto consumo de recursos de las técnicas utilizadas habitualmente. Para ello, se han desarrollado técnicas de endurecimiento que aprovechan cálculos aproximados para detectar y corregir fallos en circuitos electrónicos digitales para procesamiento de señal implementados en FPGA (Field Programmable Gate Array) comerciales. Las FPGA son dispositivos que permiten implementar circuitos electrónicos digitales diseñados a medida y reconfigurarlos tantas veces como se quiera. Su capacidad de reconfiguración y sus altas prestaciones las convierten en dispositivos muy interesantes para aplicaciones espaciales, donde realizar cambios en los diseños no suele ser posible una vez comenzada la misión. La reconfigurabilidad de las FPGA permite corregir en remoto posibles problemas en el diseño, pero también añadir o modificar funcionalidades a los circuitos implementados en el sistema. La eficacia de las técnicas de endurecimiento desarrolladas e implementadas en FPGAs se ha probado mediante experimentos de inyección de fallos y mediante ensayos en instalaciones de aceleradores de partículas preparadas para la irradiación de dispositivos electrónicos. Los ensayos de radiación son el estándar industrial para probar el comportamiento de todos los sistemas electrónicos que se envían a una misión espacial. Con estos ensayos se trata de emular de manera acelerada las condiciones de radiación a las que se verán sometidos los sistemas una vez hayan sido lanzados y determinar su resistencia a TID, DD y/o SEEs. Dependiendo del efecto que se quiera observar, las partículas elegidas para la radiación varían, pudiendo elegirse entre electrones, neutrones, protones, iones pesados, fotones... Particularmente, los ensayos de radiación realizados en este trabajo, tratándose de un estudio de técnicas de endurecimiento para sistemas electrónicos digitales, están destinados a establecer la sensibilidad de los circuitos estudiados frente a un tipo de SEE conocido como Single Event Upset (SEU), en el que la radiación modifica el valor lógico de un elemento de memoria. Para ello, hemos recurrido a experimentos de radiación con protones en el Centro Nacional de Aceleradores (CNA, España), el Paul Scherrer Institut (PSI, Suiza) y experimentos de radiación con neutrones en el laboratorio ISIS Neutron and Muon Source (ChipIR, Reino Unido). La sensibilidad de un circuito suele medirse en términos de su sección eficaz (cross section) con respecto a una partícula determinada, calculada como el cociente entre el número de fallos encontrados y el número de partículas ionizantes por unidad de área utilizadas en la campaña de radiación. Esta métrica sirve para estimar el número de fallos que provocará la radiación a lo largo de la vida útil del sistema, pero también para establecer comparaciones que permitan conocer la eficacia de los sistemas de endurecimiento implementados y ayudar a mejorarlos. El método de inyección de fallos utilizado en esta Tesis como complemento a la radiación se basa en modificar el valor lógico de los datos almacenados en la memoria de configuración de la FPGA. En esta memoria se guarda la descripción del funcionamiento del circuito implementado en la FPGA, por lo que modificar sus valores equivale a modificar el circuito. En FPGAs que utilizan la tecnología SRAM en sus memorias de configuración, como las utilizadas en esta Tesis, este es el componente más sensible a la radiación, por lo que es posible comparar los resultados de la inyección de fallos y de las campañas de radiación. Análogamente a la sección eficaz, en experimentos de inyección de fallos podemos hablar de la tasa de error, calculada como el cociente entre el número de fallos encontrados y la cantidad de bits de memoria inyectados. A lo largo de esta Tesis se han desarrollado diferentes circuitos endurecidos mediante Redundancia Modular Triple y se ha comparado su rendimiento con los de otras técnicas de Redundancia Aproximada, en concreto la Redundancia de Precisión Reducida (RPR), la Redundancia de Resolución Reducida (RRR) y la Redundancia Optimizada para Algoritmos Compuestos (ORCA). Estas dos últimas son contribuciones originales presentadas en esta Tesis. • La Redundancia de Precisión Reducida se basa en la utilización de dos réplicas redundantes que calculan resultados con un menor número de bits que el circuito original. Para cada dato de salida se comparan el resultado del circuito original y los dos resultados de precisión reducida. Si los dos resultados de precisión reducida son idénticos y su diferencia con el resultado de precisión completa es mayor que un determinado valor umbral, se considera que existe un fallo en el circuito original y se utiliza el resultado de precisión reducida para corregirlo. En cualquier otro caso, el resultado original se considera correcto, aunque pueda contener errores tolerables por debajo del umbral de comparación. En comparación con un circuito endurecido con TMR, los diseños RPR utilizan menos recursos, debido a la reducción en la precisión de los cálculos de los circuitos redundantes. No obstante, esto también afecta a la calidad de los resultados obtenidos cuando se corrige un error. En este trabajo exploramos también la RPR Escalada como un método de obtener un balance óptimo entre la precisión y el consumo de recursos. En esta variante de la técnica RPR, los resultados de cada etapa de cálculo en los circuitos redundantes tienen una precisión diferente, incrementándose hacia las últimas etapas, en las que el resultado tiene la misma precisión que el circuito original. Con este método se logra incrementar la calidad de los datos corregidos a la vez que se reducen los recursos utilizados por el endurecimiento. Los resultados de las campañas de radiación y de inyección de fallos realizadas sobre los diseños endurecidos con RPR sugieren que la reducción de recursos no sólo es beneficiosa por sí misma en términos de recursos y energía utilizados por el sistema, sino que también conlleva una reducción de la sensibilidad de los circuitos, medida tanto en cross section como en tasa de error. • La Redundancia de Resolución Reducida es una técnica propuesta originalmente en esta tesis. Está indicada para algoritmos que trabajan con información en forma de paquetes cuyos datos individuales guardan alguna relación entre sí, como puede ser un algoritmo de procesamiento de imágenes. En la técnica RRR, se añaden dos circuitos redundantes que calculan los resultados con una fracción de los datos de entrada originales. Tras el cálculo, los resultados diezmados pueden interpolarse para obtener un resultado aproximado del mismo tamaño que el resultado del circuito original. Una vez interpolados, los resultados de los tres circuitos pueden ser comparados para detectar y corregir fallos de una manera similar a la que se utiliza en la técnica RPR. Aprovechando las características del diseño hardware, la disminución de la cantidad de datos que procesan los circuitos de Resolución Reducida puede traducirse en una disminución de recursos, en lugar de una disminución de tiempo de cálculo. De esta manera, la técnica RRR es capaz de reducir el consumo de recursos en comparación a los que se necesitarían si se utilizase un endurecimiento TMR. Los resultados de los experimentos realizados en diseños endurecidos mediante Redundancia de Resolución Reducida sugieren que la técnica es eficaz en reducir los recursos utilizados y, al igual que pasaba en el caso de la Redundancia de Precisión Reducida, también su sensibilidad se ve reducida, comparada con la sensibilidad del mismo circuito endurecido con Redundancia Modular Triple. Además, se observa una reducción notable de la sensibilidad de los circuitos frente a errores no corregibles, comparado con el mismo resultado en TMR y RPR. Este tipo de error engloba aquellos producidos por fallos en la lógica de comparación y votación o aquellos en los que un único SEU produce fallos en los resultados de dos o más de los circuitos redundantes al mismo tiempo, lo que se conoce como Fallo en Modo Común (CMF). No obstante, también se observa que la calidad de las correcciones realizadas utilizando este método empeora ligeramente. • La Redundancia Optimizada para Algoritmos Compuestos es también una aportación original de esta tesis. Está indicada para algoritmos cuyo resultado final puede expresarse como la composición de resultados intermedios calculados en etapas anteriores. Para endurecer un circuito usando esta técnica, se añaden dos circuitos redundantes diferentes entre sí y que procesan cada uno una parte diferente del conjunto de datos de entrada. Cada uno de estos circuitos aproximados calcula un resultado intermedio. La composición de los dos resultados intermedios da un resultado idéntico al del circuito original en ausencia de fallos. La detección de fallos se realiza comparando el resultado del circuito original con el de la composición de los circuitos aproximados. En caso de ser diferentes, se puede determinar el origen del fallo comparando los resultados aproximados intermedios frente a un umbral. Si la diferencia entre los resultados intermedios supera el umbral, significa que el fallo se ha producido en uno de los circuitos aproximados y que el resultado de la composición no debe ser utilizado en la salida. Al igual que ocurre en la Redundancia de Precisión Reducida y la Redundancia de Resolución Reducida, utilizar un umbral de comparación implica la existencia de errores tolerables. No obstante, esta técnica de endurecimiento permite realizar correcciones exactas, en lugar de aproximadas, en la mayor parte de los casos, lo que mejora la calidad de los resultados con respecto a otras técnicas de endurecimiento aproximadas, al tiempo que reduce los recursos utilizados por el sistema endurecido en comparación con las técnicas tradicionales. Los resultados de los experimentos realizados con diseños endurecidos mediante Redundancia Optimizada para Algoritmos Compuestos confirman que esta técnica de endurecimiento es capaz de producir correcciones exactas en un alto porcentaje de los eventos. Su sensibilidad frente a todo tipo de errores y frente a errores no corregibles también se ve disminuida, comparada con la obtenida con Redundancia Modular Triple. Los resultados presentados en esta Tesis respaldan la idea de que las técnicas de Redundancia Aproximada son alternativas viables a las técnicas de endurecimiento frente a la radiación habituales, siempre que