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    Contributions to the detection and diagnosis of soft errors in radiation environments

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    Texto completo descargado desde Teseo1. Introducci贸n Los efectos de la radiaci贸n ionizante sobre dispositivos semiconductores es objeto de estudio desde la invenci贸n del transistor bipolar en 1947. El espacio es un entorno de alta radiaci贸n, como pusieron de manifiesto los primeros sat茅lites puestos en 贸rbita, y fue durante la carrera espacial de los a帽os 50 cuando se impuls贸 el estudio de errores generados en componentes electr贸nicos cr铆ticos a bordo de las primeras misiones espaciales. La necesidad de robustecer la electr贸nica frente a la radiaci贸n ha estado siempre presente en el sector aeroespacial, adem谩s, el progresivo escalado de las tecnolog铆as microelectr贸nicas, hace que el problema sea cada vez m谩s acuciante, afectando incluso a dispositivos que operan a nivel del mar. El advenimiento de tecnolog铆as nanom茅tricas augura que ser谩n necesarias nuevas y m谩s eficaces t茅cnicas de robustecimiento que garanticen la fiabilidad de equipos electr贸nicos cr铆ticos en sectores tan importantes como la aviaci贸n, automoci贸n o energ铆a nuclear. Existen dos m茅todos de robustecimiento para los dispositivos electr贸nicos, por proceso y por dise帽o. En el primer caso, el circuito integrado es fabricado en una tecnolog铆a que presenta baja sensibilidad a los efectos de la radiaci贸n, como la ampliamente utilizada SOI (Silicon On Insulator). En el segundo caso, el circuito presenta topolog铆as en su dise帽o que mitigan en mayor o menor grado el da帽o por radiaci贸n. La efectividad de cualquier medida de protecci贸n debe ser validada en el correspondiente ensayo de radiaci贸n de acuerdo a los est谩ndares vigentes (ESA, NASA, JEDEC, AEC,...). Existen varios tipos de da帽o por radiaci贸n, asociados a dosis acumulada (TID) y a eventos 煤nicos (SEE), fundamentalmente. Estos 煤ltimos est谩n asociados al paso de una 煤nica part铆cula energ茅tica a trav茅s del dispositivo, que genera una estela de carga y puede dar lugar a respuestas el茅ctricas no deseadas, como conmutaci贸n 2 2 Antecedentes de biestables, enclavamiento de un bit o excursiones de voltaje transitorias. A su vez, dentro de los errores asociados a eventos 煤nicos se puede distinguir entre da帽os f铆sicos, que pueden destruir el dispositivo de manera irreversible, y errores l贸gicos o soft errors que conllevan la corrupci贸n del estado de un circuito digital, por ejemplo por la conmutaci贸n del valor l贸gico de un biestable. Los tests en aceleradores de part铆culas o con fuentes radiactivas, se consideran los ensayos m谩s representativos para conocer la inmunidad de un componente frente al da帽o de tipo SEE. Sin embargo, la complejidad de estos ensayos dificulta la observabilidad experimental y la interpretaci贸n de los resultados obtenidos. En particular los tests din谩micos, que implican que el chip est茅 operando durante la irradiac贸n, comportan una dificultad a帽adida a la hora de interpretar los errores observados en las salidas del circuito. El test din谩mico de radiaci贸n es el m谩s realista, ya que introduce la variable temporal en el experimento y da lugar a efectos reales que no son reproducibles en condiciones est谩ticas, como el evento 煤nico transitorio (SET). El trabajo a realizar durante esta tesis pretende aportar una metodolog铆a de test que mejore la observabilidad de errores l贸gicos en un test din谩mico de radiaci贸n de circuitos digitales mediante detecci贸n y diagn贸stico en tiempo real. 2. Antecedentes La experiencia investigadora del grupo al que pertenece el autor de esta tesis en el campo de los efectos de la radiaci贸n sobre dispositivos electr贸nicos, ha puesto de manifiesto la necesidad de establecer una metodolog铆a que permita el diagn贸stico de los errores observados en un componente electr贸nico sometido a radiaci贸n ionizante. Generalmente, no es posible correlacionar con certeza el efecto (anomal铆a detectada en los puertos de salida) con la causa del mismo. La complejidad inherente a la instrumentaci贸n de un ensayo de radiaci贸n en un acelerador 3 3 Hip贸tesis y Objetivos de part铆culas, as铆 como la propia comlejidad del circuito bajo estudio, requieren alg煤n criterio de clasificaci贸n de los errores observados que pueden ser de muy diversa naturaleza. Algunos autores han aportado t茅cnicas que combinan inyecci贸n de fallos din谩mica con test en acelerador est谩ticos para estimar la probabilidad de fallo real del circuito, salvando la complejidad del test de radiaci贸n din谩mico. La protecci贸n selectiva, consistente en adoptar topolog铆as de dise帽o robustas en 驴puntos calientes驴 o cr铆ticos del circuito, requiere t茅cnicas de ensayo que permita el diagn贸stico y localizaci贸n del da帽o por radiaci贸n. El uso de microsondas nucleares permite la focalizaci贸n de un haz de iones en una regi贸n relativamente peque帽a, facilitando el diagn贸stico. La disponibilidad de uso de la microsonda nuclear en el Centro Nacional de Aceleradores puede contribuir al desarrollo de la t茅cnica de detecci贸n y diagn贸stico que es objeto de esta tesis. La curva de secci贸n eficaz de fallo SEE es la forma m谩s extendida de representaci贸n de resultados de experimentaci贸n. Estas curvas representan una colecci贸n de datos experimentales que deben ser minuciosamente clasificados. Lo mismo ocurre en los tests destinados a evaluar la tasa de errores l贸gicos en tiempo real (RTSER). En este sentido, la norma JEDEC JESD89-1A recomienda que se sigan 驴criterios de fallo驴 para la correcta identificaci贸n de los errores detectados a la salida de un circuito en tests de radiaci贸n. 3. Hip贸tesis y Objetivos El grupo de investigaci贸n al que pertenece el doctorando, posee una contrastada experiencia en el uso de emuladores hardware para la evaluaci贸n temprana de la robustez de dise帽os digitales ante errores l贸gicos. Estos emuladores inyectan fallos en la netlist de un dise帽o digital y estudian la evoluci贸n del estado del circuito durante la ejecuci贸n de un conjunto de est铆mulos. La principal ventaja de estas herramientas frente a la simulaci贸n, radica en la aceleraci贸n hardware de los 4 3 Hip贸tesis y Objetivos tests que permite la finalizaci贸n de campa帽as de inyecci贸n masivas en un tiempo relativamente corto. Las campa帽as masivas o sistem谩ticas de inyecci贸n de fallos permiten comprobar de forma exhaustiva la respuesta de un dise帽o digital a un entorno de alta radiaci贸n. Estas campa帽as arrojan una ingente cantidad de informaci贸n acerca de las vulnerabilidades del dise帽o que debe ser procesada generalmente de forma estad铆stica. La correlaci贸n entre el instante y lugar de inyecci贸n del fallo emulado y la respuesta del mismo, ser铆a una informaci贸n que permitir铆a establecer la causa de un error (comportamiento an贸malo) observado durante un test de radiaci贸n, donde generalmente s贸lo est谩n accesibles las salidas del dispositivo. Los resultados de una campa帽a de inyecci贸n dependen, adem谩s del dise帽o bajo test, del conjunto de est铆mulos aplicado (workload). A partir de los resultados de la campa帽a de inyecci贸n masiva, se puede realizar un estudio estad铆stico que determine la calidad de los vectores de test desde el punto de vista del diagn贸stico. Es de esperar que diferentes fallos inyectados compartan la misma firma, de manera que en caso de obtener dicha firma en un test de radiaci贸n, sea imposible determinar exactamente el punto de inyecci贸n del fallo. A la hora de preparar un test de radiaci贸n, es recomendable emplear vectores de test que garanticen que la certidumbre del diagn贸stico sea m谩xima, lo cual es un aporte adicional de la tesis. Esta tesis pretende establecer un procedimiento que permita obtener 驴diccionarios de fallos驴 en los que se establece una correlaci贸n entre el punto de inyecci贸n y la respuesta del circuito codificada en una firma de pocos bytes. Durante un test de radiaci贸n se pueden obtener en tiempo real las firmas generadas por el circuito, que servir谩n para diagnosticar en cada caso el origen del da帽o empleando los diccionarios de fallos previamente generados en un emulador hardware. En el supuesto de que la firma generada durante la irradiaci贸n no estuviera contenida en un diccionario exhaustivo, se puede decir que el error no ha sido originado por el 5 4 Metodolog铆a y Trabajo Realizado modelo de fallo empleado en la generaci贸n del diccionario, debi茅ndose por tanto a un tipo de da帽o no contemplado (por ejemplo da帽o f铆sico). La culminaci贸n de la tesis es el test de radiaci贸n en un acelerador de part铆culas. La Universidad de Sevilla cuenta con las instalaciones del Centro Nacional de Aceleradores, que puede ser un banco de pruebas id贸neo para comprobar la validez de la metodolog铆a y comprobar las ventajas e inconvenientes de la misma. 4. Metodolog铆a y Trabajo Realizado El plan de trabajo incluy贸 los siguientes hitos en el orden expuesto: Estudio de la base de conocimiento gen茅rica relacionada con los efectos de la radiaci贸n en circuitos electr贸nicos An谩lisis del Estado del Arte en t茅cnicas de inyecci贸n de fallos en circuitos digitales. Recopilaci贸n de normas y est谩ndares relacionados con los test radiaci贸n de componentes electr贸nicos. Estudio simulado de bajo nivel de los efectos de la radiaci贸n en tecnolog铆as submicrom茅tricas. Selecci贸n de un m贸dulo adecuado para creaci贸n de firmas a partir de las salidas de un circuito digital. Adecuaci贸n del emulador hardware FT-UNSHADES para la generaci贸n de firmas durante las campa帽as de inyecci贸n. Selecci贸n de un veh铆culo de test para el experimento en la microsonda nuclear del CNA. 6 4 Metodolog铆a y Trabajo Realizado Realizaci贸n de campa帽as de inyecci贸n masivas para la generaci贸n de diccionarios de fallos sobre dise帽os digitales y an谩lisis de resultados. Preparaci贸n del setup experimental para el acelerador de part铆culas. Experimento en la microsonda nuclear del CNA y an谩lisis de resultados. El estudio bibliogr谩fico de la base de conocimiento en el campo de los efectos de la radiaci贸n sobre circuitos electr贸nicos ha sido fundamental para poder establecer el 谩mbito de aplicaci贸n de la tesis. El papel de la emulaci贸n hardware para inyecci贸n de fallos en esta investigaci贸n fue cr铆tica y ha sido necesario un estudio de las plataformas existentes para entender qu茅 puede aportar cada herramienta. Para acabar con la documentaci贸n, es necesario adem谩s recopilar las normas y est谩ndares relacionados con test de radiaci贸n de circuitos electr贸nicos. La simulaci贸n de bajo nivel de los efectos de la radiaci贸n sobre una determinada tecnolog铆a engloba herramientas como SPICE, SRIM y TCAD. Estas simulaciones permiten estimar cuales deben ser las caracter铆sticas del haz de iones empleado en un futuro ensayo en el acelerador de part铆culas. Los resultados de estas simulaciones fueron discutidos con los t茅cnicos del acelerador para estudiar la viabilidad de los par谩metros deseados. Un elemento clave en la metodolog铆a fue el bloque que debe generar las firmas a partir de las salidas del circuito digital. Es deseable que se trate de un m贸dulo sencillo y que pueda ser implementado en un dispositivo programable sin suponer un consumo excesivo de recursos. El emulador FT-UNSHADES fue adaptado par incorporar el m贸dulo de firmas. Se dispuso de un circuito integrado que servi贸 veh铆culo de test para un experimento en el CNA. Es necesaria adem谩s la descripci贸n VHDL del mismo para su emulaci贸n en FT-UNSHADES. No es objeto de esta tesis el desarrollo de este componente, su dise帽o y fabricaci贸n est谩 fuera del alcance de esta tesis. Se gener- 7 4 Metodolog铆a y Trabajo Realizado aron diccionarios de fallos del veh铆culo de tests y de otros dise帽os digitales y, a partir de estos diccionarios, se han confeccionado estudios estad铆sticos de diagn贸stico. En una fase ulterior, se desarroll贸 el hardware necesario para el setup experimental. Todo el hardware se prob贸 en el laboratorio, antes de acudir al CNA. El resultado de esta etapa es la configuraci贸n del equipamiento de test autom谩tico (ATE) que se encarg贸 de introducir est铆mulos en el chip y monitorizarlo durante el experimento en el acelerador de part铆culas. Finalmente, se llev贸 a cabo un experimento en el Centro Nacional de Aceleradores sobre el veh铆culo de test elegido para completar una prueba de concepto de la metodolog铆a propuesta.

    Simulation of realistic defects for validating test- and diagnosis-algorithms

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    Testing and diagnosis are very important in the manufacture of Integrated Circuits (ICs) due to the decrease in technology size. Diagnosis aims to detect and localize faults and obtain information about them and many diagnosis algorithms exist for that purpose. These diagnosis algorithms, however, apply heuristics and therefore must be evaluated with realistic test cases to determine their efficiency. The goal of this thesis is to obtain a realistic set of bridging faults to inject for evaluation of the diagnosis algorithm presented by Holst in the ADAMA tool. To achieve this, the multi-node inductive fault analysis algorithm presented by Zachariah and Chakravarty was implemented. Multi-node bridging fault lists were obtained and passed to ADAMA for diagnosis. Simulations were run on several circuits and the results of the inductive fault analysis were compared to those obtained from random fault generation

    脡tude de faisabilit茅 d'une m茅thodologie de test exploitant le test par le courant IDDQ, et l'int茅raction d'autres m茅thodes de test de diagnostic

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    Cette th猫se porte globalement sur l'茅laboration d'une m茅thodologie permettant d'am茅liorer le test des circuits int茅gr茅s (CI), et ce, en utilisant des concepts propres au diagnostic et en se basant sur l'interacfion des m茅thodes de test existantes. Le premier objectif de cette th猫se est la g茅n茅ralisation plus pouss茅e de la m茅thode de diagnostic bas茅e sur les signatures probabilistes du courant AIDDQ, et ce, 脿 plusieurs niveaux. D'une part, nous avons d茅velopp茅 plusieurs mod猫les de pannes de courts-circuits incluant la totalit茅 des types de portes logiques de la technologie CMOS 0.35|xm. D'autre part, nous avons am茅lior茅 la technique de r茅duction des sites physiques de courts-circuits; nous parlons de celle bas茅e sur les r茅sultats des sorties erron茅es du circuit sous test obtenus 脿 l'aide de son 茅mulation (ou son test). Cette technique supportait des circuits purement combinatoires. L'am茅liorafion apport茅e permet maintenant d'ufiliser cette technique sur des circuits s茅quentiels. Nous avons 茅galement pr茅sent茅 les derniers r茅sultats de r茅duction des sites de court-circuit, et ce. en se basant sur les signatures AIDDQ, les capacit茅s parasites de routage extraites du dessin des masques et les erreurs logiques observ茅es 脿 la sortie du circuit, et ce, pour les technologies 0.35|a.m et 90nm. La combinaison de ces trois techniques r茅duit significativement le nombre de sites de courts-circuits 脿 consid茅rer dans le diagnostic. Les r茅sultats de simulation confirment que le nombre de sites de court-circuit est r茅duit de O(N') 脿 0(N), o霉 N est le nombre de noeuds dans le circuit. Du cot茅 de l'outil logiciel permettant l'茅mulation de la m茅thode de diagnostic propos茅e, nous avons compl茅t茅 sa conception, et nous avons d茅fini les conditions permettant son utilisation dans un environnement de test en temps r茅el. Le deuxi猫me objectif de cette th猫se est l'introduction d'une nouvelle strat茅gie d'optimisation pour le test adaptatif de haute qualit茅. La strat茅gie propos茅e permet dans un premier temps de couvrir les pannes qui habituellement ne causent pas une consommation anormale du courant IDDQ avec le minimum de vecteurs possibles qui sont appliqu茅s 脿 tous les circuits; et dans un deuxi猫me temps, propose deux pistes de traitement pour les pannes qui habituellement causent une 茅l茅vation du courant IDDQ- Le traitement a priori (pr茅vision) est bas茅 sur l'ajout d'autres vecteurs de test pour couvrir les sites non couverts par les tests logiques ou de d茅lais. Le traitement a posteriori (gu茅rison) est bas茅 sur un diagnostic rapide sur les sites non couverts. Nous faisons appel 脿 la m茅thode de diagnostic propos茅e avec quelques modifications. Ce traitement correspond 脿 une strat茅gie d'optimisation visant 脿 n'appliquer les vecteurs suppl茅mentaires que sur les CI montrant des sympt么mes particuliers
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