6 research outputs found

    СРАВНИТЕЛЬНАЯ ОЦЕНКА ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ЗРЕЛЫХ И НЕЗРЕЛЫХ ЗАРОДЫШЕЙ ЯРОВОЙ ТВЕРДОЙ ПШЕНИЦЫ В КУЛЬТУРЕ IN VITRO

    Get PDF
    Исследованы процессы индукции каллусогенеза различных генотипов яровой твердой пшеницы. Установлена генотипическая зависимость частоты морфогенеза. Показано, что эффективность процесса и тип каллуса обусловлены выбранным эксплантом. Установлено, что наибольшим морфогенетическим потенциалом обладают каллусы из незрелых зародышей. У морфогенетических линий, полученных из зрелых зародышей, процесс органогенеза не достигает организменного уровня, а заканчивается образованием корней (ризогенезом)

    Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs interface for spin-polarimetry applications

    Get PDF
    In this letter, we present electrical and magnetic characteristics of HfO2-based metal-oxide-semiconductor capacitors (MOSCAPs), along with the effect of pseudomorphic Si as a passivating interlayer on GaAs(001) grown by molecular beam epitaxy. Ultrathin HfO2 high-k gate dielectric films (3–15 nm) have been grown on Si/GaAs(001) structures through evaporation of a Hf/HfO2 target in NO2 gas. The lowest interface states density Dit at Au/HfO2/Si/GaAs(001) MOS-structures were obtained in the range of (6−13)×101

    Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs interface for spin-polarimetry applications

    No full text
    In this letter, we present electrical and magnetic characteristics of HfO2-based metal-oxide-semiconductor capacitors (MOSCAPs), along with the effect of pseudomorphic Si as a passivating interlayer on GaAs(001) grown by molecular beam epitaxy. Ultrathin HfO2 high-k gate dielectric films (3–15 nm) have been grown on Si/GaAs(001) structures through evaporation of a Hf/HfO2 target in NO2 gas. The lowest interface states density Dit at Au/HfO2/Si/GaAs(001) MOS-structures were obtained in the range of (6−13)×101

    Features of reproduction of whitefishes

    No full text
    corecore