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表面再構成制御成長法によるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用

By 前澤 宏一 and 斉藤 光史
Publisher: 富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
Year: 2008
OAI identifier: oai:toyama.repo.nii.ac.jp:00006903

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