REM- und TEM-Untersuchungen an epitaktischen Blechalkogenid-Schichten auf -100-PbSe-Flächen

Abstract

Bleichalkogenide sind die Basismaterialien für die Herstellung von Doppelheterostrukturhalbleiterlaserdioden mittels Molekularstrahlepitaxie. Die Qualität der Waferoberflächen sowie der epitaktischen Schichten wird mit Hilfe des Elektron Channeling Pattern beurteilt. Gleichmäßigkeit und Dicke der epitaktischen Schichten werden mittels Materialkontrast festgestellt. Das Wafermaterial als auch die Grenzflächen der Epitaxieschichten werden mit hochauflösenden TEM-Untersuchungen auf Versetzungen untersucht. (IPM

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oai:fraunhofer.de:PX-31705Last time updated on 11/15/2016

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