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Study about temperature distribution in a MOSFET device package using finite element method simulation

By Filipe Dias Baumgratz

Abstract

Resumo: O transistor MOSFET teve uma evolução muito grande desde sua invenção até os dias de hoje. As dimensões foram reduzidas, a capacidade de integração de componentes e frequência de operação aumentaram, como consequência desta evolução houve um aumento da potência dissipada pelos circuitos integrados. Neste trabalho foi utilizada simulação por elementos finitos para estudar o comportamento térmico de um encapsulamento ao variar-se sua montagem interna, utilizando um MOSFET de potência como fonte de calor. A partir destas simulações foi possível identificar os pontos de maior e menor temperatura, bem como as regiões de melhor condução de calor. Ainda utilizando simulação por elementos finitos estudou-se o efeito da variação do tempo de chaveamento nas temperaturas observadas no interior do encapsulamentoAbstract: The transistor had a great evolution since its invention until today. The dimensions were reduced, the components integration and operating frequency increased, a result of these developments is higher power dissipation in integrated circuits. This work use finite element method simulation to study the thermal behavior of a package with different internal assembly, using a power MOSFET as heat source. From these simulations it is possible to identify the points of high and low temperature, and best thermal paths. Still using finite element method simulation was studied the effect of switching time in the thermal behavior of the packag

Topics: Encapsulamento, Método de elementos finitos, Simulação por computador, Calor - Transmissão, Temperatura, Package, Finite element method, Computer simulation, Heat, Temperature
Year: 2014
OAI identifier: oai:agregador.ibict.br.RI_UNICAMP:oai:unicamp.sibi.usp.br:SBURI/11770
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