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Analyse und Aufbau von Material- und Schichtsystemen fuer Hochleistungsdiodenlaser. Teilvorhaben 2 und 3: GaAs-Waferpraeparation und Charakterisierung fuer Hochleistungsdiodenlaser Forschungsbericht/Abschlussbericht

By T. Buenger, T. Flade, B. Weinert, P. Rotsch, U. Kretzer, A. Kleinwechter, M. Jurisch, R. Hammer and Freiberg (Germany) Freiberger Compound Materials GmbH

Abstract

Available from TIB Hannover: F97B1504+a / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Technische InformationsbibliothekSIGLEBundesministerium fuer Bildung, Wissenschaft, Forschung und Technologie, Bonn (Germany)DEGerman

Topics: 20E - Optics, masers, lasers, 20K - Solid-state physics, HIGH-PERFORMANCE DIODE LASERS, GALLIUM ARSENIDES, WAFER PREPARATION, SILICON DOPING, LOCAL PLASTIC DEFORMATION, SEMICONDUCTOR MATERIALS
Year: 1997
OAI identifier:
Provided by: OpenGrey Repository
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