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Elektronenbeugungsmethoden zur Strukturanalyse epitaktischer Siliziumkarbidschichten

By A. Winkelmann

Abstract

Das Ziel dieser Arbeit bestand in der experimentellen und theoretischen Untersuchung verschiedener Elektronenbeugungsmethoden hinsichtlich ihrer Eignung zur zerstoerungsfreien Kristallstrukturanalyse ultraduenner Schichten aus Siliziumkarbid (SiC) im Ultrahochvakuum. Insbesondere stand das Problem der Polytyp- und Polaritaetsbestimmung solcher Schichten im Mittelpunkt. Es wurden die Methoden der roentgenangeregten Photoelektronenbeugung (XPD), der Elektronenchannellingmuster (ECP), der niederenergetischen Elektronenbeugung (LEED) und der hochenergetischen Elektronenbeugung bei streifendem Einfall (RHEED) betrachtet. Zur effektiven Interpretation der Experimente wurden verschiedene Simulationsmethoden angewendet und in ihren Gemeinsamkeiten und Unterschieden analysiert. (orig.)Various electron diffraction methods have been examined in theory and experimentally with respect to their suitability as methods applicable for non-destructive crystal structure analysis of ultrathin SiC films. The focus was on polytype and polarity aspects of the thin films. The methods examined are: XPD, ECP, LEED, and RHEED. Effective interpretation of the experimental results was based on different simulation methods which were analysed for common features and distinct, individual features. (orig./CB)Available from: <a href=http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=968074022 target=NewWindow>http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=968074022</a> / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Technische InformationsbibliothekSIGLEDEGerman

Topics: 070 - Chemistry, general, SILICON CARBIDES, ELECTRON DIFFRACTION, CRYSTAL STRUCTURE, X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY, SCANNING TUNNELING MICROSCOPY, SURFACE PROPERTIES, THIN FILMS, COMPUTERIZED SIMULATION, NONDESTRUCTIVE ANALYSIS, PRESSURE RANGE NANO PA
Year: 2003
OAI identifier:
Provided by: OpenGrey Repository
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