Синтез оптоэлектронной системы установки контроля микроэлектронных структур

Abstract

Совершенствование оборудования для контроля размеров и формы микроэлектронных структур на соответствие проектным данным и отсутствие привнесенных в него дефектов и загрязнений требует развития оптоэлектронных систем регистрации изображений структурных элементов. Синтез этих систем можно осуществлять с помощью метода, позволяющего установить обоснованность использования в ней источника излучения и определить основные функциональные параметры оптоэлектронной системы. Приведены результаты использования метода при разработке оптоэлектронной системы, работающей с разрешением 250 нм. Показано, что в контрольном оборудовании можно применять светодиоды вместо традиционно используемых галогенных и ртутно-ксеноновых ламп