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Étude des défauts ponctuels dans le niobium

By R. Pichon, F. Vanoni, P. Bichon, G. de Keating-Hart and P. Moser

Abstract

High purity niobium was produced by the zone melting technique and then annealed in ultra high vacuum. The purity was monitered by resistivity measurements at 4 °K and by activation analysis. Electron irradiation studies were then made on the niobium at very low temperatures. Measurements of the resistivity recovery were carried out with the object of determining a model which describes the process of annihilation and agglomeration of the radiation induced defects. A compartive study with other b. c. c. metals (Fe and Mo) leads to the acceptance of the hypothesis of an intrinsic interstitial migrating at low temperature. This permits the refection of the hypothesis of a second type of intrinsic interstitial mobile at ambient temperatures. Study of the interaction of the intrinsic defects with the impurity has been made from two viewpoints — firthly modification of the defect clustering and annihilation processes and secondly trapping of the impurity by the defects.Un niobium de très haute pureté a été élaboré par fusion de zone puis recuit sous ultra-vide. La pureté a été contrôlée par des mesures de résistivité à 4 °K et par des analyses par activation (Rumb/R 4 °K = 2 000 ; 0 < 1 ppm, C < 1 ppm . Ce niobium a été irradié avec des électrons à très basse température, une étude du revenu de la résistivité a été entreprise dans le but de préciser un modèle décrivant les processus d'annihilation et d'agglomération des défauts créés par irradiation. Une étude comparative avec d'autres métaux cubiques centrés (Fe, Mo) conduit à accepter l'hypothèse d'un interstitiel intrinsèque migrant à basse température. Elle permet de rejeter l'hypothèse d'un second interstitiel intrinsèque migrant à une température plus élevée. L'étude des interactions des défauts intrinsèques avec les impuretés a été faite sous deux aspects : premièrement modification des processus d'annihilation et d'agglomération des défauts ; deuxièmement piégeage des impuretés par les défauts

Publisher: EDP Sciences
Year: 1970
DOI identifier: 10.1051/rphysap:0197000503042700
OAI identifier: oai:edpsciences.org:dkey/10.1051/rphysap:0197000503042700
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