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CREATION OF AsGa DEFECTS BY PLASTIC DEFORMATION OF GaAs CRYSTALS

By T. Figielski, T. Wosiski and A. Morawski

Abstract

Les différents réultats concernant la création et les propriétés des défauts "antisite" arsenic dans les cristaux GaAs plastiquement déformés sont présentés. Les défauts AsGa sont identifiés comme les pièges à électrons dominants (EL2). Deux mécanismes différents de leur formation pendant le mouvement des dislocations sont discutés. On mentionne le rôle possible des défauts AsGa dans le fonctionnement des éléments optoélectroniques.Various results concerning the creation and properties of arsenic antisite defects in plastically deformed GaAs crystals are compiled. The AsGa defects are identified as the dominant electron traps (EL2). Two different mechanisms of their creation during the dislocation motion are discussed. A possible role of AsGa defects in optoelectronic device operation is mentioned

Publisher: 'EDP Sciences'
Year: 1983
DOI identifier: 10.1051/jphyscol:1983442
OAI identifier: oai:edpsciences.org:dkey/10.1051/jphyscol:1983442
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