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THE EVALUATION OF β-Si3N4 MICROSTRUCTURES USING PLASMA-ETCHING AS A PREPARATIVE TECHNIQUE

By C. O'MEARA, P. NILSSON and G.L. DUNLOP

Abstract

Le décapage au plasma a été utilisé avec succès pour l'étude micro-structurelle de deux β-Si3N4 matériaux pour faciliter leur évaluation avec les méthodes d'analyse : SEM et TEM. L'utilisation de cette technique permet une caractérisation plus représentative des microstructures.Plasma-etching has been used successfully to delineate the microstructures of two β-Si3N4 materials in order to facilitate their evaluation by electron microscopy. The use of this technique results in a more representative evaluation of the microstructures

Publisher: EDP Sciences
DOI identifier: 10.1051/jphyscol:1986143/pdf
OAI identifier: oai:edpsciences.org:dkey/10.1051/jphyscol:1986143
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