Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency
Doi
Abstract
FILM TIPIS RUTILE CO-TiO2 YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD:PENGARUH SUHU ANIL TERHADAP STRUKTUR KRISTAL. Film tipis Co-TiO2 telah ditumbuhkan dengan teknik Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) di atas substrat Si(100) dengan menggunakan prekursor metalorganik titanium tetra-isopropoxide [Ti(OCH(CH3)2)4] dan tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) cobalt (III), Co(TMHD)3. Filmtipis dengan orientasi bidang tunggal rutile (002) dihasilkan dengan menggunakan parameter penumbuhan sebagai berikut: suhu bubbler (Tb(Ti)) = 50oC, suhu substrat (Ts) = 450oC, tekanan bubbler (Pb(Ti)) = 260 Torr, laju aliran gas Ar(Ti) = 100 sccm, laju aliran gas O2 = 60 sccm, tekanan total penumbuhan (PTot) = 2 Torr dan laju aliran Ar(Co) ≤ 60 sccm. Film tipis dengan orientasi bidang tunggal ini dianil pada suhu 450oC, 500oC dan 550oC selama masing-masing 3 jam. Hasil penganilan dapat memperbaiki bidang kristal rutile (002). Perbaikan ini ditunjukkan oleh nilai FWHM puncak rutile (002) yang semakin kecil dengan bertambahnya nilai suhu penganilan. Penambahan bidang-bidang kristal tidak terjadi oleh penganilan sampai pada suhu 550oC. Hal ini menunjukkan bahwa film tipis Co-TiO2 memiliki kestabilan yang baik terhadap perubahan termal lingkungannya
Is data on this page outdated, violates copyrights or anything else? Report the problem now and we will take corresponding actions after reviewing your request.