Article thumbnail

FILM TIPIS RUTILE CO-TiO2 YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD:PENGARUH SUHU ANIL TERHADAP STRUKTUR KRISTAL

By Horasdia Saragih, Ridwan Ridwan, Mujamilah Mujamilah, Pepen Arifin and Mohamad Barmawi

Abstract

FILM TIPIS RUTILE CO-TiO2 YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD:PENGARUH SUHU ANIL TERHADAP STRUKTUR KRISTAL. Film tipis Co-TiO2 telah ditumbuhkan dengan teknik Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) di atas substrat Si(100) dengan menggunakan prekursor metalorganik titanium tetra-isopropoxide [Ti(OCH(CH3)2)4] dan tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) cobalt (III), Co(TMHD)3. Filmtipis dengan orientasi bidang tunggal rutile (002) dihasilkan dengan menggunakan parameter penumbuhan sebagai berikut: suhu bubbler (Tb(Ti)) = 50oC, suhu substrat (Ts) = 450oC, tekanan bubbler (Pb(Ti)) = 260 Torr, laju aliran gas Ar(Ti) = 100 sccm, laju aliran gas O2 = 60 sccm, tekanan total penumbuhan (PTot) = 2 Torr dan laju aliran Ar(Co) ≤ 60 sccm. Film tipis dengan orientasi bidang tunggal ini dianil pada suhu 450oC, 500oC dan 550oC selama masing-masing 3 jam. Hasil penganilan dapat memperbaiki bidang kristal rutile (002). Perbaikan ini ditunjukkan oleh nilai FWHM puncak rutile (002) yang semakin kecil dengan bertambahnya nilai suhu penganilan. Penambahan bidang-bidang kristal tidak terjadi oleh penganilan sampai pada suhu 550oC. Hal ini menunjukkan bahwa film tipis Co-TiO2 memiliki kestabilan yang baik terhadap perubahan termal lingkungannya

Topics: Film tipis Co-TiO2, fasa rutile, penganilan, MOCVD
Publisher: 'National Atomic Energy Agency of Indonesia (BATAN)'
Year: 2019
DOI identifier: 10.17146/jusami.2005.7.1.5018
OAI identifier: oai:ojs.jurnal.batan.go.id:article/5018

Suggested articles


To submit an update or takedown request for this paper, please submit an Update/Correction/Removal Request.