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立方相 Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOVCD外延生长

By 冯志宏, 杨辉, 徐大鹏, 赵德刚, 王海 and 段俐宏

Abstract

利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜。通过光致发光(PL)、扫描电镜(SEM)分析了不同NH_3流量、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和表面形貌的影响。发现相对高的NH_3流量和相对高的生长温度可以提高AlGaN外延层的结晶质量

Topics: 光电子学
Year: 2002
OAI identifier: oai:ir.semi.ac.cn:172111/18119
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