Spectroscopic study of Si-based semiconductor heterostructures grown by molecular beam epitaxy
By Noritaka Usami
Abstract
報告番号: 乙13671 ; 学位授与年月日: 1998-01-29 ; 学位の種別: 論文博士 ; 学位の種類: 博士(工学) ; 学位記番号: 第13671号 ; 研究科・専攻: 工学系研究科物理工学専
Year: 1998
OAI identifier:
oai:repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp:2261/54043
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