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研究解説 : 化合物半導体の表面不活性化技術

By 氾 横溝, 博邦 徳田, 芳夫 安達 and 俊明 生駒

Abstract

GaAsあるいはGaP等の化合物半導体は,その電子的性質にSiにない特徴があり,マイクロ波あるいは光領域の能動素子として注目され,研究が進んでいる.本稿では化合物半導体技術を担う表面不活性化技術の現況を紹介し,著者らの進めている陽極酸化法を概説し,今後の応用と問題点について考える

Topics: 500
Publisher: 東京大学大学院 電子工学
Year: 1977
OAI identifier: oai:repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp:2261/35128
Provided by: UT Repository

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