Article thumbnail

D优化的实验设计在IC工艺和器件优化中的应用

By 甘学温

Abstract

论述了实验设计(DOE)技术与TCAD相结合用于半导体工艺和器件性能优化的新途径,它可以极大地减少开发和研制新工艺、新器件的时间和成本。D优化的实验设计方法在安排实验方面有很大的灵活性。本文以亚微米埋沟PMOS晶体管为例,讨论了用D优化的实验设计拟合响应表面的方法以及改善模型拟合精度的措施。根据拟合的响应表面预测器件性能,优化工艺条件,预测结果和模拟结果取得了很好的一致性,从而证明了实验设计技术与TCAD相结合的优越性中文核心期刊要目总览(PKU)0052-

Topics: 集成电路, 半导体工艺, 实验设计, 设计优化, 工艺CAD
Publisher: 微电子学
Year: 1996
OAI identifier: oai:localhost:20.500.11897/23734
Download PDF:
Sorry, we are unable to provide the full text but you may find it at the following location(s):
  • http://hdl.handle.net/20.500.1... (external link)
  • Suggested articles


    To submit an update or takedown request for this paper, please submit an Update/Correction/Removal Request.