Article thumbnail

Фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe - n-InSe

By Б.В. Кушнір

Abstract

Шаруваті кристали групи А[3]В[6], до яких належать селенід індію та теллурид галію, є перспективними матеріалами для створення гетеропереходів на їх основі. Ці матеріали з різною симетрією і періодами кристалічної решітки дозволяють методом ван-дер-ваальсового контакту їх поверхонь створювати якісні гетероструктури

Topics: гетероструктури, гетероструктуры, heterostructures, шаруваті кристали, слоистые кристаллы, layered crystals
Publisher: Сумський державний університет
Year: 2016
OAI identifier: oai:essuir.sumdu.edu.ua:123456789/45870

Suggested articles


To submit an update or takedown request for this paper, please submit an Update/Correction/Removal Request.