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線性鉑酸鹽在矽晶表面之成長與接面結構分析

By 蔡啟堂

Abstract

[[abstract]]部分氧化之配位鉑酸鹽為線型結構之等方 向性電導體,可用擴散法、氧化法與電解法製 備,矽晶為最常用之半導體材料.本計畫建議研 究此二種物質接合之可行性.首先了解不同表 面處理方法對矽晶表面親水性之影響,藉表面 極性之增加而使離子晶體易於沈積生長於矽表 面.如此Co/sub 0.83/Pt(C/sub2/O/sub 4/)/Si接合結構將 可形成.此部分氧化的雙草酸根鉑酸鹽係由水 溶液中原有之CoPt(C/sub 2/O/sub 4/)/sub 2/藉空氣氧 化或其它氧化法而產生.其它類型之線型鉑酸 鹽之合成及矽晶接面之狀況,將進一步研究.此 類鉑酸鹽矽晶之接面可用反射式紅外光譜、X 射線繞射、掃描式電子顯微鏡、二次離子質譜 儀、電子光譜、熱重分析等儀器方法來分析

Topics: 鉑酸鹽, 線性導體, 矽晶, 接面
Year: 2009
OAI identifier: oai:http://ir.lib.pccu.edu.tw/:987654321/2283
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