Skip to main content
Article thumbnail
Location of Repository

利用I-V-T 和X光繞射技術用在堆積層 Ni-Fusi/HfO2 與 Ni-Fusi/SiO2 中針對介面特性之研究

By 譚湘瑜

Abstract

[[abstract]]在CMOS 的先進技術上,金屬閘將如預期取代傳統的多晶體的矽材料。也就是如此,將金屬閘與高介電係數材料結合(high-k) ,就是主要用在45nm 半導體元件上的應用。這幾年來,只要是比傳統SiO2 介電係數高的材料都被研究尤其是在維持低漏電流和電容值的問題。針對這問題,以材料之熱穩定著手來找出最佳的材料就是HfO2 莫屬,這也是目前取代SiO2 的最佳的材料之一。更進一步的將完全矽化鎳與介電係數高的材料共同用在先進CMOS 的電晶體的閘極結構是目前各界一致認為的最佳選擇,尤其是滿足奈米元件的低漏電流和閘極介電層的厚度的要求(EOT),另外,這種結構和目前的半導體製程非常類似。我的前一個國科會計畫中,有幾點重要的發現會影響NiSi 的形成: ?雜;退火處理的溫度;Ni 對Si 薄膜的厚度比; 半導體製程技術。可喜的是,這研究成功的發展出一套套有效的非破壞性方法來偵測出Ni-Si 的相變化。主要有XRD 法,電阻值法,以及AFM 表面。現在,本人更進一步提出這新的計畫案來研究Ni-FUSI/HfO2 和Ni-FUSI/SiO2 這兩種閘極結構的電子與物理特性。Ni-Si 的熱穩定,相變與均勻介面(interface uniformity)都是影響因素。在這研究中將首次運用XRD, XPS,與I-V-T 技術深入探討 Ni-Si 相與介面特性並針對Ni-FUSI/HfO2 和Ni-FUSI/SiO2 這兩種閘極結構。就如同要更換任何舊材質或改進它之前,新材質的優點是來自於製程上面臨瓶頸而須突破,所以這計畫的四大重點如下; (一) 研究Ni-Si 的相變化和形成在Ni-FUSI/HfO2 閘極結構中針對高溫製程上 (二) ?雜對Ni-Si 的相變化和形成與熱穩定度 (三) 運用I-V-T 技術深入探討Ni-Si 相與介面特性針對Ni-FUSI/HfO2 和 Ni-FUSI/SiO2 這兩種閘極結構. (四) 研究電性與物理特性的關係一旦所有的實驗結果完成,Ni-FUSI/HfO2 和Ni-FUSI/SiO2 的理論將呈現且皆根據實驗結果。這將是第一次,運用I-V-T 技術深入探討Ni-Si 相與介面特性針對 Ni-FUSI/HfO2 和Ni-FUSI/SiO2 這兩種閘極結構。我們的最高理想是希望此結果可做為金屬閘極和High-k gate dielectric 的先驅

Topics: 完全矽化鎳, 閘極矽化金屬材料, 高介電係數材料, 氧化鉿, 二氧化矽, 電子特性, 介面特性
Year: 2009
OAI identifier: oai:http://ir.lib.pccu.edu.tw/:987654321/2124
Download PDF:
Sorry, we are unable to provide the full text but you may find it at the following location(s):
  • http://ir.lib.pccu.edu.tw//han... (external link)
  • Suggested articles


    To submit an update or takedown request for this paper, please submit an Update/Correction/Removal Request.