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氧化銦錫應用於多孔矽太陽電池製程之研究

By 陳芝伊

Abstract

[[abstract]]本文探討以磷片擴散法製作太陽能電池的製程與其性能分析。研究使P型矽晶圓作為基板,利用磷擴散片在高溫爐作高溫固態擴散製程,做出單晶矽太陽能電池之P-N接面。之後使用濺鍍機濺鍍金屬,形成太陽能電池正極。再利用I-V量測系統對電壓電流曲線進行量測,測出開路電壓及短路電流。 本文另外研究N型矽晶片經過陽極電化學蝕刻後,產生的多孔矽結構與各種特性做分析及應用。實驗利用自製的PVC電化學蝕刻槽與白鐵線圈,取代傳統昂貴的鐵氟龍陽極電化學蝕刻槽與白金線,將矽晶片蝕刻成具有非常微小孔洞之多孔矽晶片,並用紫外光燈觀察其光激發光現象,可清楚看見多孔矽晶片光激發光產生明顯的橙紅色光,再使用掃描式顯微鏡(SEM)和反射率去觀察其多孔矽結構。實驗證明多孔矽經電化學蝕刻後所產生,並且由許多結構非常細小之矽柱所構成,如電壓密度、蝕刻溶液濃度及外加照光等,可以改變多孔隙結構及其反射率。此外,我們也發現多孔矽表面若增加一層氧化銦錫薄膜,將會使發光的光譜產生藍移現象

Topics: 太陽電池, 擴散, 氧化銦錫, 多孔矽, 反射率
Year: 2009
OAI identifier: oai:http://ir.lib.pccu.edu.tw/:987654321/1174
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